[发明专利]一种制备石墨烯肖特基结的方法

权利要求书

1.一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)提供一锗衬底，并在该锗衬底上选择一特定区域；

(2)在该锗衬底的特定区域上旋涂形成PMMA薄膜层；

(3)将该锗衬底放入PECVD设备的管式炉中，使管式炉中温度升至4400℃-600℃，压力降至0.14mbar-0.2mbar，同时对管式炉中持续通入氩气，进行第一阶段保温，持续时间10min-60min，以排除空气、增强PMMA薄膜层中PMMA活性；

(4)在管式炉中打开100W-300W的射频，进行第二阶段生长，持续时间10min-60min，使锗衬底上的特定区域的PMMA薄膜层中PMMA的碳原子分解出来并沉积于锗衬底表面形成石墨烯；

(5)使锗衬底冷却降至室温；

(6)在锗衬底上长有石墨烯的特定区域和没有石墨烯的区域上分别生长一层金作为电极，以连接石墨烯与衬底锗间形成肖特基结。

2.根据权利要求1所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，所述锗衬底的特定区域上旋涂形成的PMMA薄膜层的厚度为1μm-2μm。

3.根据权利要求2所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，所述锗衬底的特定区域上旋涂形成的PMMA薄膜层的厚度为1μm。

4.根据权利要求1或3所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，所述第一阶段保温中，管式炉中温度升至600℃，压力降至0.14mbar，同时时间持续60min。

5.根据权利要求4所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，所述第二阶段生长中，管式炉中打开100W的射频，持续时间60min。

6.根据权利要求5所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，锗衬底缓慢冷却至室温。

7.根据权利要求5或6所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，在锗衬底上长有石墨烯的特定区域和没有石墨烯的区域上通过镀膜的方式分别生长一层金作为电极。

8.根据权利要求7所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，所述镀膜的方式为电子束蒸发和磁控溅射的其中一种。

9.根据权利要求1或8所述的一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，先在锗衬底上旋涂形成整片PMMA薄膜层，然后选定特定区域，覆盖与特定区域形状相同的掩膜板至特定区域的PMMA薄膜层上，再通过臭氧蚀刻锗衬底上除特定区域外的其他区域上的PMMA薄膜层。