[发明专利]一种开关电路在审

专利信息
申请号: 201711086294.4 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107809228A 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 颜栋卿;陈凯;张坤 申请(专利权)人: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
主分类号: H03K17/042 分类号: H03K17/042;H03K17/687
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦东新区张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种开关电路。

背景技术

开关电路在电子行业中应用广泛,当开关电路关闭时候,如果后级电源下降缓慢,如果在电压没有完全掉到低电平时候再上电,那么挂在后级电源上的设备可能无法正确复位。设备在掉电过程中部分设备需要快速掉电以满足自身复位的需要。

现有技术中,普通开关电路的具有关闭时候掉电慢的不足,通常使用开关芯片来提高开关速度,但是开关芯片存在成本比较高的问题

发明内容

针对现有技术中存在的问题,本发明提供了一种能够快速掉电且成本较低的开关电路。本发明采用如下技术方案:

一种开关电路,包括:

一三极管,所述三极管的基极通过一第一电阻连接一控制端,所述控制端用于给三极管输入开关控制信号,所述三级管的集电极通过一第二电阻连接一开关电压输入端,所述开关电压输入端用于接收外部输入的开关输入电压,所述三极管的集电极还通过一第三电阻连接一P沟道MOS管和一N沟道MOS管,所述三极管的发射极接地;

所述P沟道MOS管的源极和栅极之间并联一第一电容,所述P沟道MOS管的栅极连接所述第三电阻,所述P沟道MOS管的源极连接所述开关电压输入端,所述P沟道MOS管的漏极连接一开关电压输出端,所述开关电压输出端用于输出开关输出电压;

一第四电阻,所述第四电阻一端连接所述三极管的基极,另一端接地;

所述N沟道MOS管的栅极连接所述第三电阻,所述N沟道MOS管的源极接地,所述N沟道MOS管的漏极连接所述开关电压输出端;

至少一个第二电容,每个所述第二电容一端分别连接所述开关电压输出端,另一端分别接地。

优选的,所述开关输入电压为5V。

优选的,所述开关控制信号为高电平时,所述开关电路导通,所述开关输出电压为5V;

所述控制端输入的所述开关控制信号为低电平时,所述开关电路断开,所述开关输出电压为0V。

优选的,所述开关控制信号为高电平时,所述开关控制信号对应3.3V电平。

优选的,所述开关控制信号为高电平时,所述开关控制信号对应1.8V电平。

优选的,所述开关控制信号为高电平时,不考虑三极管的导通情况下,所述三极管的基极电压被第一电阻和第四电阻分压为1V。

优选的,所述开关电路开关时,所述三极管的导通电压小于或者等于0.7V。

本发明的有益效果:能够快速掉电,开关快速且稳定且成本比较低。

附图说明

图1为本发明的一种优选实施例中,一种开关电路的电路图;

图2为本发明的一种优选实施例中,去掉N沟道MOS管后,控制端关电后,开关电压输出端的电压跌落时间的实测波形图之一;

图3为本发明的一种优选实施例中,保留N沟道MOS管后,控制端关电后,开关电压输出端的电压跌落时间的实测波形图之二;

图4为本发明的一种优选实施例中,去掉N沟道MOS管后,控制端关电后,开关电压输出端的电压跌落时间的实测波形图之三;

图5为本发明的一种优选实施例中,保留N沟道MOS管后,控制端关电后,开关电压输出端的电压跌落时间的实测波形图之四;

图6为本发明的一种优选实施例中,去掉第四电阻后,控制端关电后,开关电压输出端的电压跌落时间的实测波形图之五。

具体实施方式

需要说明的是,在不冲突的情况下,下述技术方案,技术特征之间可以相互组合。

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明:

如图1所示,一种开关电路,其特征在于,包括:

一三极管QD2,上述三极管QD2的基极通过一第一电阻RD28连接一控制端A,上述控制端A用于给三级管QD2输入开关控制信号BL-ON/OFF,上述三级管QD2的集电极通过一第二电阻RD24连接一开关电压输入端B,上述开关电压输入端B用于接收外部输入的开关输入电压+5V-standby,上述三极管QD2的集电极还通过一第三电阻RD29连接一P沟道MOS管QD1和一N沟道MOS管Q9,上述三极管QD2的发射极接地;

上述P沟道MOS管QD1的源极和栅极之间并联一第一电容CD51,上述P沟道MOS管QD1的栅极连接上述第三电阻RD29,上述P沟道MOS管QD1的源极连接上述开关电压输入端B,上述P沟道MOS管QD1的漏极连接一开关电压输出端C,上述开关电压输出端C用于输出开关输出电压+5V-panal/0V-panal;

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