[发明专利]一种开关电路在审
| 申请号: | 201711086294.4 | 申请日: | 2017-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN107809228A | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
| 发明(设计)人: | 颜栋卿;陈凯;张坤 | 申请(专利权)人: | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/042 | 分类号: | H03K17/042;H03K17/687 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 开关电路 | ||
1.一种开关电路,其特征在于,包括:
一三极管,所述三极管的基极通过一第一电阻连接一控制端,所述控制端用于给三极管基极输入开关控制信号,所述三级管的集电极通过一第二电阻连接一开关电压输入端,所述开关电压输入端用于接收外部输入的开关输入电压,所述三极管的集电极还通过一第三电阻连接一P沟道MOS管和一N沟道MOS管,所述三极管的发射极接地;
所述P沟道MOS管的源极和栅极之间并联一第一电容,所述P沟道MOS管的栅极连接所述第三电阻,所述P沟道MOS管的源极连接所述开关电压输入端,所述P沟道MOS管的漏极连接一开关电压输出端,所述开关电压输出端用于输出开关输出电压;
一第四电阻,所述第四电阻一端连接所述三极管的基极,另一端接地;
所述N沟道MOS管的栅极连接所述第三电阻,所述N沟道MOS管的源极接地,所述N沟道MOS管的漏极连接所述开关电压输出端;
至少一个第二电容,每个所述第二电容一端分别连接所述开关电压输出端,另一端分别接地。
2.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述开关输入电压为5V。
3.根据权利要求2所述的开关电路,其特征在于,所述开关控制信号为高电平时,所述开关电路导通,所述开关输出电压为5V;
所述控制端输入的所述开关控制信号为低电平时,所述开关电路断开,所述开关输出电压为0V。
4.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述开关控制信号为高电平时,所述开关控制信号对应3.3V电平。
5.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述开关控制信号为高电平时,所述开关控制信号对应1.8V电平。
6.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述开关控制信号为高电平时,不考虑三极管的导通情况下,所述三极管的基极电压被第一电阻和第四电阻分压为1V。
7.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述开关电路开关时,所述三极管的导通电压小于或者等于0.7V。
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