[发明专利]具有集成电感器的半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底；

所述衬底上方的第一钝化层；

所述第一钝化层上方的第二钝化层；及

所述第二钝化层中的磁芯；

其中所述磁芯包含第一磁性材料层及在所述第一磁性材料层上方的第二磁性材料层，所述第一磁性材料层及所述第二磁性材料层被高电阻隔离层分离，所述高电阻隔离层具有大于1.3欧姆·厘米的电阻率，所述磁芯进一步包括在所述第二磁性材料层的顶表面上的低电阻隔离层，且所述低电阻隔离层具有小于1.3欧姆·厘米的电阻率。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述磁芯进一步包括所述高电阻隔离层与所述第二磁性材料层之间的金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中高电阻隔离层包含Si₃N₄。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中高电阻隔离层包含AlN。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中高电阻隔离层包含Al₂O₃。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述金属层包含钽(Ta)。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述磁芯进一步包括在所述第二磁性材料层的顶表面上的另一高电阻隔离层，且所述另一高电阻隔离层具有大于1.3欧姆·厘米的电阻率。

8.一种半导体结构，其包括：

第一钝化层；

所述第一钝化层上方的第二钝化层；

所述第二钝化层上方的第三钝化层；

所述第一钝化层中的下部线圈段；

所述第三钝化层中的上部线圈段；及

磁芯，其在所述第二钝化层中且与所述下部线圈段及所述上部线圈段绝缘；

其中所述磁芯包含第一磁性材料层及在所述第一磁性材料层上方的第二磁性材料层，所述第一磁性材料层及所述第二磁性材料层被包含高电阻隔离层及低电阻隔离层的复合隔离层分离，且所述高电阻隔离层的电阻率大于所述低电阻隔离层的电阻率。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述高电阻隔离层在所述低电阻隔离层上方。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述高电阻隔离层具有大于1.3欧姆·厘米的电阻率，且所述低电阻隔离层具有小于1.3欧姆·厘米的电阻率。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述磁芯进一步包括所述高电阻隔离层与所述第二磁性材料层之间的金属层。

12.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述磁芯进一步包括在所述第一磁性材料层的底表面下方的金属层。

13.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述低电阻隔离层包含所述第一磁性材料层的氧化物。

14.一种半导体结构，其包括：

第一钝化层；

所述第一钝化层上方的第二钝化层；

所述第二钝化层上方的第三钝化层；

所述第一钝化层中的下部线圈段；

所述第三钝化层中的上部线圈段；及

磁芯，其在所述第二钝化层中且与所述下部线圈段及所述上部线圈段绝缘；

其中所述磁芯从底部到顶部包含第一磁性材料层、第二磁性材料层、第三磁性材料层及第四磁性材料层，所述第一磁性材料层及所述第二磁性材料层被第一低电阻隔离层分离，所述第二磁性材料层及所述第三磁性材料层被高电阻隔离层分离，所述第三磁性材料层及所述第四磁性材料层被第二低电阻隔离层分离，且所述高电阻隔离层的电阻率大于所述低电阻隔离层的电阻率。