[发明专利]芯片和功率晶体管

权利要求书

1.一种用于功率晶体管(10)的芯片(100)，其中，所述芯片包括衬底(300)以及所述衬底(300)的第一侧上的源极金属化结构(400)，其特征在于，所述芯片包括第一铜层(710)和第二铜层(720)，所述第二铜层布置在所述第一铜层(710)与所述源极金属化结构(400)之间，其中，所述第二铜层(720)至少能够导热地布置在所述源极金属化结构(400)上，其中，所述第一铜层(710)与所述第二铜层(720)电绝缘地连接。

2.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述源极金属化结构(400)与所述第一铜层(710)也能够导电地连接。

3.根据权利要求2所述的芯片，其中，所述第一铜层(710)的以及至少一个所述第二铜层(720)的表面——在所述表面上所述第一铜层与所述第二铜层彼此连接——具有热传递结构，使得所述第一铜层(710)与至少一个所述第二铜层(720)能够导热地连接。

4.根据上述权利要求中任一项所述的芯片，其中，所述衬底(300)包括硅层，和/或所述源极金属化结构(400)包括铜。

5.根据上述权利要求中任一项所述的芯片，其中，所述衬底(300)包括接通孔(610)，所述接通孔填充有能够导电的填充物，并且所述源极金属化结构(400)与所述填充物电连接。

6.根据权利要求5所述的芯片，其中，所述衬底(300)如此薄，使得所述接通孔(610)穿透所述衬底(300)，其中，所述衬底(300)在与所述第一侧相对置的第二侧上包括分开的金属化结构，所述分开的金属化结构至少分开为与所述填充物电连接的源极连接端(210)以及与所述源极连接端(210)电隔离的漏极金属化结构(200)。

7.根据权利要求6所述的芯片，其中，所述衬底(300)包括另外的经能够导电填充的接通孔(620)并且在所述第一侧上具有栅极金属化结构(500)，所述接通孔填充有另外的能够导电的填充物，其中，所述栅极金属化结构(500)与所述另外的填充物电连接。

8.一种功率晶体管(10)，其具有根据权利要求7所述的芯片，其中，所述分开的金属化结构另外在所述第二侧上包括栅极连接端(220)，所述栅极连接端通过所述分开与所述漏极金属化结构(200)以及所述源极连接端(210)电隔离，并且与所述另外的填充物电连接。

9.根据权利要求8所述的功率晶体管(10)，其中，所述功率晶体管(10)是分离的和/或钝化的。

10.根据权利要求8或9所述的功率晶体管(10)，其中，所述功率晶体管(10)、所述栅极连接端(220)、所述源极连接端(210)以及所述漏极金属化结构(200)与印制电路(960)能够导电地连接。