[发明专利]具有三维存储单元阵列的非易失存储器件的地址调度方法在审

专利信息
申请号: 201711084156.2 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN109754837A 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 尹治元;南尚完;尹廷允;蔡东赫 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 地址调度 字线 位线 三维存储单元阵列 非易失存储器件 多电平单元 方式顺序 顺序执行 选择连接
【权利要求书】:

1.一种包括多个单元串的三维非易失性存储器件的地址调度方法,所述多个单元串中的每一个包括属于第一子块的多个非易失性存储单元和属于第二子块的多个非易失性存储单元,所述多个非易失性存储单元中的每一个是被配置用于存储N位数据的多位存储单元,其中“N”是大于或等于2的自然数,所述方法包括:

选择连接到第一至第k串的第一位线,其中“k”是大于或等于2的自然数;

选择耦合到所述第一位线的第一串;

自属于所述第一串的第一子块的底部字线到顶部字线的顺序依次地执行连接到每个字线的存储单元的地址调度;和

自属于所述第一串的第二子块的底部字线到顶部字线的顺序依次地执行连接到每个字线的存储单元的地址调度。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

选择耦合到所述第一位线的第二串;

自属于所述第二串的第一子块的底部字线到顶部字线的顺序依次地执行连接到每个字线的存储单元的地址调度;和

自属于所述第二串的第二子块的底部字线到顶部字线的顺序依次地执行连接到每个字线的存储单元的地址调度。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个单元串还包括:

连接在属于所述第一子块的存储单元和属于所述第二子块的存储单元之间的至少一个开关或至少一个虚拟存储单元,用于将所述第一子块与所述第二子块分离。

4.根据权利要求1所述的方法,还包括:

对连接到所述第一位线的多个单元串中的除了所述第一串之外的至少一个串执行预充电操作。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述预充电操作是响应于预设的预充电条件来执行的。

6.权利要求1的方法,其中N为2或3。

7.一种包括多个单元串的三维非易失性存储器件的地址调度方法,所述多个单元串中的每一个包括属于第一子块的多个非易失性存储单元和属于第二子块的多个非易失性存储单元,所述多个非易失性存储单元中的每一个是被配置用于存储N位数据的多位存储单元,其中“N”是大于或等于2的自然数,所述方法包括:

选择连接到第一至第k串的第一位线,其中“k”是大于或等于2的自然数;

从连接到所述第k串的第一串起依次顺序地对连接到所述第一子块的第一字线的存储单元执行地址调度;

从连接到所述第k串的第一串起依次顺序地对与所述第一子块的第一字线相邻的第二字线连接的存储单元执行地址调度;和

在从连接到所述第k串的第一串起依次对所述第一子块的最后字线执行地址调度之后,从连接到所述第k串的第一串起依次对连接到所述第二子块的第一字线的存储单元执行地址调度。

8.根据权利要求7所述的方法,还包括:

从连接到所述第k个串的第一串起依次对所述第二子块的第一字线相邻的第二字线连接的存储单元执行地址调度。

9.根据权利要求8所述的方法,其中

所述第一子块的第一字线是属于所述第一子块的字线的底部字线,

所述第一子块的最后字线是属于所述第一子块的字线的顶部字线,并且

所述第二子块的第一字线是属于所述第二子块的字线的底部字线。

10.根据权利要求8所述的方法,其中

所述第一子块的第一字线是属于所述第一子块的字线的底部字线,

所述第一子块的最后字线是属于所述第一子块的字线的顶部字线,并且

所述第二子块的第一字线是属于所述第二子块的字线的顶部字线。

11.根据权利要求7所述的方法,其中对连接到所述第一子块的第一字线的存储单元执行地址调度包括:

选择所述第一串;

对连接到所述第一位线的第一至第k串的串中的除了第一串之外的至少一个串执行预充电操作;和

对连接到所述第一串和连接到所述第一子块的第一字线的存储单元进行编程。

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