[发明专利]一种ESD保护电路及其制造方法

权利要求书

1.一种ESD保护电路及其制造方法，其特征在于：包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述达林顿复合晶体管由两个三极管NPN1和NPN2并联构成；所述NMOS管的栅极分别通过所述电容C和所述电阻Rp连接到PAD端和GND，所述NMOS管的源极连接所述NPN1的基极，所述NPN1的发射极和所述NPN2的基极相连，所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD，所述NPN2的发射极连接到GND。

2.根据权利要求1所述的一种ESD保护电路及其制造方法，其特征在于：所述电容C为多晶硅电容。

3.根据权利要求1所述的一种ESD保护电路及其制造方法，其特征在于：所述电阻R1、R2和Rp为多晶硅电阻。

4.根据权利要求1所述的一种ESD保护电路及其制造方法，其特征在于：所述制造方法包括步骤：

第一步，制备第一类型重掺杂衬底（10）；

第二步，在第一类型重掺杂衬底（10）正面离子注入第二类型杂质锑，形成第二类型掺杂埋层Ⅰ（201）和第二类型掺杂埋层Ⅱ（202）；

第三步，在所述的第一类型重掺杂衬底（10）正面生长第一类型轻掺杂外延层（30）；

第四步，在第一类型轻掺杂外延层（30）正面注入第二类型杂质磷，热推进形成第二类型阱区Ⅰ（401）和第二类型阱区Ⅱ（402）, 构成NMOS隔离区和三极管NPN1、NPN2的共同集电区连接；

第五步，在第一类型轻掺杂外延层（30）正面注入第一类型杂质硼，热推进形成第一类型阱区Ⅰ（501）和第一类型阱区Ⅱ（502、503），所述第一类型阱区Ⅰ（501）为NMOS阱区，第一类型阱区Ⅱ（502、503）分别为所述三极管NPN1和NPN2的基区；

第六步，在第一类型轻掺杂外延层（30）正面生长薄氧化层并淀积氮化硅层，之后热氧化生长场氧化层（60）并剥离氮化硅层；

第七步，热生长栅氧化层（906），并在栅氧化层（906）上面淀积第一多晶硅层（905），之后对第一多晶硅层（905）进行第二类型杂质扩散掺杂；

第八步，刻蚀有源区第一多晶硅层（905），刻蚀栅氧化层（906），形成NMOS栅极结构，刻蚀场氧化层（60）区第一多晶硅层（905），形成所述电容C的下极板和所述电阻R1、R2及Rp；

第九步，离子注入第二类型杂质磷自对准形成NMOS的重掺杂漏区（702）、源区（703）和隔离结构接触区（701），以及三极管NPN1和NPN2的发射极（705、706）和集电极接触区（704）；离子注入第一类型杂质硼形成三极管NPN1和NPN2的基极（801、802）；

第十步，热生长第二氧化层，形成所述电容C的介质层；之后淀积第二多晶硅层，形成所述电容C的上极板；

第十一步，依次形成层间介质层、钨塞、表面金属层和钝化层。

5.根据权利要求4所述的一种ESD保护电路及其制造方法，其特征在于：所述制作方法第四步中NMOS管由第二类型阱区Ⅰ（401）和第二类型掺杂埋层Ⅰ（201）所构成的隔离结构完全隔离，所述的第二类型掺杂埋层Ⅱ（202）构成三极管NPN1和NPN2的共同集电极，第二类型阱区Ⅱ（402）外接三极管NPN1和NPN2的共同集电极。