[发明专利]OLED显示器及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示器及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴注入层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

请参阅图1，为现有的一种顶发光型的OLED显示器的结构示意图，该OLED显示器包括TFT基板100’、设于TFT基板100’上的多个像素隔离坝200’、设于TFT基板100’上的多个OLED发光层300’、设于多个OLED发光层300’上的阴极400’、设于像素隔离坝200’及阴极400’上方的封装盖板500’、及将封装盖板500’与TFT基板100’连接的框胶600’，所述TFT基板100’包括衬底基板110’、设于衬底基板110’上的TFT阵列层120’、覆盖TFT阵列层120’的平坦化层130’、及设于平坦化层130’上的阳极140’，所述多个像素隔离坝200’在TFT基板100’上围拢出多个像素区域101’，所述多个OLED发光层300’分别设于多个像素区域101’中，所述封装盖板500’靠近TFT基板100’的一侧还设有滤光层510’，多个OLED发光层300’均通过在像素区域101’内打印或蒸镀OLED发光材料制得，无论是采用打印或蒸镀工艺，制得的OLED发光层300’在发光时均会有部分光线斜射入与其所在的像素区域101’相邻的像素区域101’，从而产生漏光的问题，影响显示效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED显示器，能够消除OLED发光层发光时产生的漏光，显示品质好。

本发明的另一目的在于提供一种OLED显示器的制作方法，能够消除OLED发光层发光时产生的漏光，提升OLED显示器的显示品质。

为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED显示器，包括：TFT基板、设于所述TFT基板上的数条遮光像素隔离坝、设于TFT基板上的多个OLED发光层、及分别设于多个OLED发光层上的多个阴极；

所述遮光像素隔离坝包括坝体、及设于坝体上的遮光部；所述数条遮光像素隔离坝的坝体在TFT基板上围拢出多个像素区域，所述多个OLED发光层分别位于多个像素区域内。

所述TFT基板包括：衬底基板、设于衬底基板上的TFT阵列层、覆盖TFT阵列层的平坦化层、及设于平坦化层上与多个像素区域对应的多个阳极。

所述OLED显示器还包括设于遮光像素隔离坝及阴极上方的封装盖板、及位于封装盖板与TFT基板之间将封装盖板与TFT基板连接的框胶；

所述OLED显示器为顶发光型OLED显示器。

所述遮光像素隔离坝的材料为有机材料或无机材料。

本发明还提供一种OLED显示器的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供TFT基板；

步骤S2、在所述TFT基板上形成数条遮光像素隔离坝；

所述遮光像素隔离坝包括坝体、及设于坝体上的遮光部；所述数条遮光像素隔离坝的坝体在TFT基板上围拢出多个像素区域；

步骤S3、在TFT基板的多个像素区域内形成OLED发光层。

所述TFT基板包括：衬底基板、设于衬底基板上的TFT阵列层、覆盖TFT阵列层的平坦化层、及设于平坦化层上与多个像素区域对应的多个阳极。