[发明专利]一种超大板面减反射玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种超大板面减反射玻璃，包括玻璃基片和镀膜层，镀膜层附着在玻璃基片其中一侧的外表面上，其特征在于：所述的镀膜层包括自玻璃基片至空气面依次贴合在一起设置的第一层氮化硅层、第二层氧化硅层、第三层氮化硅层和第四层氧化硅层，所述的第一层氮化硅层厚度为10-16纳米、第二层氧化硅层厚度为10-20纳米、第三层氮化硅层厚度为10-15纳米、第四层氧化硅层厚度为100-120纳米。

2.根据权利要求1所述的一种超大板面减反射玻璃，其特征在于：所述的第一层氮化硅层厚度为14纳米，第二层氧化硅层厚度为15纳米、第三层氮化硅层厚度为12纳米、第四层氧化硅层厚度为110纳米。

3.一种制备如权利要求1所述的一种超大板面减反射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一、需配备一条内设有有分子泵、旋转阴极、清洗机、硅铝靶8根的磁控溅射镀膜线，取用纯度99.999%的氩气、氧气、氮气各一瓶，且每个气瓶上均配备气体流量计，备用；

步骤二、调整步骤一中的镀膜线真空度为3×10-6mbar，开始调试该镀膜线，控制镀膜线连续生产任意一种镀膜产品持续三天时间，三天后继续利用镀膜线如果能够生产其他镀膜产品后，则该镀膜线达到生产要求，备用；

步骤三、取镀膜基片并放入步骤二中的镀膜线内将镀膜基片传输到镀膜线中的清洗机内进行清洗，将清洗机清洗后的镀膜基片传输进入镀膜线中的镀膜腔室内进行镀膜处理，首先控制镀膜腔室内镀氮化硅的靶材，同时控制气体流量计通入工作气体氩气和氮气，且氩气和氮气比例为1:2-2:1，同时旋转阴极接通中频电源使用，开始第一次镀膜在镀膜基片上形成厚度为14纳米的第一层氮化硅层；其次镀膜线持续工作控制镀膜腔室内镀氧化硅的靶材，控制气体流量计通入工作气体氩气和氧气，且氩气和氧气比例为1:3-3:2，同时旋转阴极接通中频电源使用，开始第二次镀膜在第一层氮化硅层上形成厚度为15纳米的第二层氧化硅层；再次镀膜线持续工作控制镀膜腔室内镀氮化硅的靶材，控制气体流量计通入工作气体氩气和氮气，且氩气和氮气比例为1:2-2:1，同时旋转阴极接通中频电源使用，开始第三次镀膜在第二层氧化硅层上形成厚度为12纳米的第三层氮化硅层，镀膜线持续工作控制腔室内镀氧化硅的靶材，控制气体流量计通入工作气体氩气和氧气，且氩气和氧气比例为1:3-3:2，同时旋转阴极接通中频电源使用，开始第四次镀膜在第三层氮化硅层上形成厚度为110纳米的第四层氧化硅层，镀膜结束形成镀膜产品；

步骤四、取步骤三中镀膜产品进行可见光形成参数测量并与标准数据对比，符合要求后，超大板面减反射玻璃制备完成。

4.根据权利要求3所述的一种超大板面减反射玻璃的制备方法，其特征在于：所述的清洗机内需配备盘刷、滚刷、去离子水和加热器，其中去离子水电阻≥2MΩ，水温控制在30～40℃之间。

5.根据权利要求3所述的一种超大板面减反射玻璃的制备方法，其特征在于：所述的步骤三中的镀膜基片为浮法原片，且镀膜基片生产日期在15天以内，表面无油渍。

6.根据权利要求3所述的一种超大板面减反射玻璃的制备方法，其特征在于：所述的步骤三中氩气和氮气比例为1:1.5，氩气和氧气比例为1：2。