[发明专利]阵列基板驱动电路的检测方法

说明书

本公开提供了一种阵列基板驱动电路的检测方法。该方法包括：在全导通阶段，向电源端、数据输入端、感测电压端、第一栅极端和第二栅极端分别输入第一电源电压信号、第一数据电压信号、第一感测电压信号、第一栅极导通信号和第二栅极导通信号；在数据电压变化阶段，将第一数据电压信号变为第二数据电压信号；在电源电压变化阶段，将第一电源电压信号变为第二电源电压信号；在栅极信号变化阶段，将第一栅极导通信号和第二栅极导通信号分别变为第一栅极截止信号和第二栅极截止信号；以及在测量阶段，测量发光器件的第一电极端的电压，并将所测量的电压与理论电压进行比较以确定阵列基板驱动电路是否正常，从而实现了对阵列基板驱动电路的检测。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板驱动电路的检测方法。

背景技术

在显示行业中，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)具有高对比度、高色域等优势，是未来显示面板发展的主流趋势。尤其是AMOLED(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode，主动矩阵有机发光二极体)，其还具有可视角度广、响应速度快等优点。但是，OLED产品对TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)背板的要求比较严格。OLED面板内部的像素驱动电路的线路非常复杂，不良线路种类非常多。例如这些像素驱动电路的线路可能会出现短路或断路(或者称为开路)的情况，导致像素驱动电路不正常。这将造成降低OLED产品良率、增加产品的后端成品费用等问题。

发明内容

本公开实施例解决的一个技术问题是：实现对阵列基板驱动电路是否正常的检测。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种阵列基板驱动电路的检测方法。所述阵列基板驱动电路包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括存储电容器、第一开关晶体管、第二开关晶体管和第三开关晶体管，其中，所述第一开关晶体管的栅极、第一电极和第二电极分别连接第一栅极端、数据输入端和所述存储电容器的第一端，所述第二开关晶体管的栅极、第一电极和第二电极分别连接第二栅极端、感测电压端和所述存储电容器的第二端，所述第二端还连接至发光器件的第一电极端，所述第三开关晶体管的栅极、第一电极和第二电极分别连接所述第一端、所述发光器件的第一电极端和电源端。

所述检测方法包括：在全导通阶段，向所述电源端、所述数据输入端、所述感测电压端、所述第一栅极端和所述第二栅极端分别输入第一电源电压信号、第一数据电压信号、第一感测电压信号、第一栅极导通信号和第二栅极导通信号，使得所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管均导通；在所述全导通阶段结束后的数据电压变化阶段，将所述第一数据电压信号变为第二数据电压信号，所述第二数据电压信号被存储在所述存储电容器的第一端；在所述数据电压变化阶段结束后的电源电压变化阶段，将所述第一电源电压信号变为第二电源电压信号；在所述电源电压变化阶段结束后的栅极信号变化阶段，将所述第一栅极导通信号和所述第二栅极导通信号分别变为第一栅极截止信号和第二栅极截止信号，使得所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管均截止，所述第三开关晶体管在所述第二电源电压信号和所述存储电容器的第一端所存储的第二数据电压信号作用下的导通电阻大于所述第三开关晶体管在所述全导通阶段在所述第一数据电压信号作用下的导通电阻；以及在所述栅极信号变化阶段结束后的测量阶段，测量所述发光器件的第一电极端的电压，并将所测量的电压与理论电压进行比较以确定所述阵列基板驱动电路是否正常。

可选地，在所测量的电压与所述理论电压的差值在预定范围内的情况下，确定所述阵列基板驱动电路正常；在所测量的电压与所述理论电压的差值在所述预定范围之外的情况下，确定所述阵列基板驱动电路异常。

可选地，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管均为NMOS晶体管；其中，所述第二数据电压信号的电平高于所述第二电源电压信号的电平。