[发明专利]阵列基板驱动电路的检测方法

权利要求书

1.一种阵列基板驱动电路的检测方法，所述阵列基板驱动电路包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括存储电容器、第一开关晶体管、第二开关晶体管和第三开关晶体管，其中，所述第一开关晶体管的栅极、第一电极和第二电极分别连接第一栅极端、数据输入端和所述存储电容器的第一端，所述第二开关晶体管的栅极、第一电极和第二电极分别连接第二栅极端、感测电压端和所述存储电容器的第二端，所述存储电容器的第二端还连接至发光器件的第一电极端，所述第三开关晶体管的栅极、第一电极和第二电极分别连接所述存储电容器的第一端、所述发光器件的第一电极端和电源端；

所述检测方法包括：

在全导通阶段，向所述电源端、所述数据输入端、所述感测电压端、所述第一栅极端和所述第二栅极端分别输入第一电源电压信号、第一数据电压信号、第一感测电压信号、第一栅极导通信号和第二栅极导通信号，使得所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管均导通；

在所述全导通阶段结束后的数据电压变化阶段，将所述第一数据电压信号变为第二数据电压信号，所述第二数据电压信号被存储在所述存储电容器的第一端；

在所述数据电压变化阶段结束后的电源电压变化阶段，将所述第一电源电压信号变为第二电源电压信号；

在所述电源电压变化阶段结束后的栅极信号变化阶段，将所述第一栅极导通信号和所述第二栅极导通信号分别变为第一栅极截止信号和第二栅极截止信号，使得所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管均截止，所述第三开关晶体管在所述第二电源电压信号和所述存储电容器的第一端所存储的第二数据电压信号作用下的导通电阻大于所述第三开关晶体管在所述全导通阶段在所述第一数据电压信号作用下的导通电阻；以及

在所述栅极信号变化阶段结束后的测量阶段，测量所述发光器件的第一电极端的电压，并将所测量的电压与理论电压进行比较以确定所述阵列基板驱动电路是否正常。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所测量的电压与所述理论电压的差值在预定范围内的情况下，确定所述阵列基板驱动电路正常；

在所测量的电压与所述理论电压的差值在所述预定范围之外的情况下，确定所述阵列基板驱动电路异常。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管均为NMOS晶体管；

其中，所述第二数据电压信号的电平高于所述第二电源电压信号的电平。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述第二数据电压信号的电平与所述第二电源电压信号的电平的差值V_{Data_Vdd}的范围为0V<V_{Data_Vdd}≤5V。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管均为PMOS晶体管；

其中，所述第二数据电压信号的电平低于所述第二电源电压信号的电平。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

所述第二数据电压信号的电平与所述第二电源电压信号的电平的差值V_{Data’_Vdd’}的范围为-5V≤V_{Data’_Vdd’}<0V。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述测量阶段内，在测量所述发光器件的第一电极端的电压之前，所述方法还包括：

将所述第一感测电压信号变为第二感测电压信号；

其中，在所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管均为NMOS晶体管的情况下，所述第二感测电压信号为低于0V的电平；

在所述第一开关晶体管、第二开关晶体管和第三开关晶体管均为PMOS晶体管的情况下，所述第二感测电压信号为高于0V的电平。