[发明专利]具有分层互连结构的桥互连

权利要求书

1.一种集成电路组件，包括：

具有腔的封装衬底，所述封装衬底包括电介质材料；

嵌在所述封装衬底的所述腔中的桥，所述桥包括硅，其中，所述电介质材料在所述桥上方并与所述桥接触；

第一接头，在所述桥上方并电耦合到所述桥，所述第一接头在所述电介质材料中并延伸到所述电介质材料之上，并且所述第一接头包括铜；

所述第一接头上的第一层，所述第一层包括镍；

第二接头，在所述桥上方并电耦合到所述桥，所述第二接头在所述电介质材料中并延伸到所述电介质材料之上，并且所述第二接头包括铜；

所述第二接头上的第二层，所述第二层包括镍；

所述电介质材料中的第一互连结构，所述第一互连结构与所述桥的第一侧横向间隔开；

所述电介质材料中的第二互连结构，所述第二互连结构与所述桥的第二侧横向间隔开；

电耦合到所述第一接头和所述第一互连结构的第一管芯；以及

电耦合到所述第二接头和所述第二互连结构的第二管芯。

2.如权利要求1所述的集成电路组件，其中，所述桥包括玻璃桥衬底。

3.如权利要求1所述的集成电路组件，其中：

所述桥包括焊盘和一个或多个电布线特征；并且

所述一个或多个电布线特征中的电布线特征与所述焊盘直接接触。

4.如权利要求3所述的集成电路组件，其中，所述一个或多个电布线特征是一个或多个互连结构。

5.如权利要求4所述的集成电路组件，其中，所述第一管芯或所述第二管芯通过所述一个或多个互连结构中的一个与所述桥电耦合。

6.如权利要求1所述的集成电路组件，其中，所述第一管芯是处理器，并且所述第二管芯是存储器的一部分。

7.如权利要求1所述的集成电路组件，其中，所述第一管芯是ASIC，并且所述第二管芯是存储器的一部分。

8.如权利要求1所述的集成电路组件，其中，所述电介质材料与所述桥接触。

9.如权利要求1所述的集成电路组件，其中，所述第一管芯部分地在所述桥上方并且部分地在所述封装衬底上方，并且其中，所述第二管芯部分地在所述桥上方并且部分地在所述封装衬底上方。

10.一种集成电路系统，包括：

印刷电路板(PCB)；以及

与所述印刷电路板耦合的集成电路组件，所述集成电路组件包括：

具有腔的封装衬底，所述封装衬底包括电介质材料；

嵌在所述封装衬底的所述腔中的桥，所述桥包括硅，其中，所述电介质材料在所述桥上方并与所述桥接触；

第一接头，在所述桥上方并电耦合到所述桥，所述第一接头在所述电介质材料中并延伸到所述电介质材料之上，并且所述第一接头包括铜；

所述第一接头上的第一层，所述第一层包括镍；

第二接头，在所述桥上方并电耦合到所述桥，所述第二接头在所述电介质材料中并延伸到所述电介质材料之上，并且所述第二接头包括铜；

所述第二接头上的第二层，所述第二层包括镍；

所述电介质材料中的第一互连结构，所述第一互连结构与所述桥的第一侧横向间隔开；

所述电介质材料中的第二互连结构，所述第二互连结构与所述桥的第二侧横向间隔开；

电耦合到所述第一接头和所述第一互连结构的第一管芯；以及

电耦合到所述第二接头和所述第二互连结构的第二管芯。

11.如权利要求10所述的集成电路系统，其中，所述桥包括玻璃桥衬底。

12.如权利要求10所述的集成电路系统，其中：

所述桥包括焊盘和一个或多个电布线特征；并且

所述一个或多个电布线特征中的电布线特征与所述焊盘直接接触。