[发明专利]半导体封装和制造半导体封装的方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

封装基板，具有上表面和下表面并且包括形成在所述上表面上的多个基板焊盘；

电容器结构，布置在所述封装基板的所述上表面上并且包括半导体基板和形成在所述半导体基板的上部区域中的至少一个去耦电容器；

多个第一半导体芯片，安装在所述封装基板上并由所述电容器结构支撑；

第二半导体芯片，布置在所述封装基板的所述上表面上，所述第二半导体芯片与所述电容器结构间隔开；

第一导电连接构件，将所述第一半导体芯片的芯片焊盘电连接到所述多个基板焊盘；以及

第二导电连接构件，将所述去耦电容器的电容器焊盘电连接到所述多个基板焊盘，

其中，所述第二半导体芯片的厚度与所述电容器结构的厚度相同，

其中，所述第一半导体芯片使用与所述电容器结构和所述第二半导体芯片接触的粘合膜安装在所述电容器结构和所述第二半导体芯片上，

其中，所述至少一个去耦电容器是多个去耦电容器，所述多个去耦电容器中的每一个包括相应的电容器焊盘，所述多个去耦电容器以彼此电隔离的方式形成在所述半导体基板上，并且其中所述多个去耦电容器电连接到所述相应的电容器焊盘，并且

其中，所述第二导电连接构件包括接合线，所述接合线将所述相应的电容器焊盘电连接到相应的基板焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述去耦电容器包括形成在所述半导体基板上的金属氧化物半导体型电容器、单元型电容器和金属布线型电容器中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个去耦电容器的子集电连接到所述封装基板。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述电容器结构的高度为约10μm至约800μm。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述电容器焊盘设置在所述电容器结构的上表面上。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电连接构件包括接合线。

7.一种半导体封装，包括：

封装基板；

第一半导体芯片，安装在所述封装基板上；

电容器结构，以与所述第一半导体芯片间隔开的方式布置在所述封装基板上，并且包括半导体基板和形成在所述半导体基板的上表面中的至少一个去耦电容器；

多个第二半导体芯片，使用与所述电容器结构和所述第一半导体芯片接触的粘合膜安装在所述电容器结构和所述第一半导体芯片上，并由所述电容器结构支撑；以及

导电连接构件，将所述去耦电容器的电容器焊盘电连接到所述封装基板的基板焊盘，

其中，所述第一半导体芯片的厚度与所述电容器结构的厚度相同，

其中，所述至少一个去耦电容器是多个去耦电容器，所述多个去耦电容器中的每一个包括相应的电容器焊盘，其中所述多个去耦电容器以彼此隔离的方式形成在所述半导体基板上，并且所述多个去耦电容器电连接到所述相应的电容器焊盘，并且

其中，所述导电连接构件包括接合线，所述接合线将所述相应的电容器焊盘电连接到相应的基板焊盘。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述去耦电容器包括形成在所述半导体基板上的金属氧化物半导体型电容器、单元型电容器和金属布线型电容器中的至少一个。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中：

所述第一半导体芯片是堆叠在所述封装基板上的多个第一半导体芯片之一，

其中，所述多个第一半导体芯片位于所述封装基板与所述多个第二半导体芯片中最下面的第二半导体芯片之间。