[发明专利]一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法

说明书

本发明公开了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法，包括：从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块，对于每个信息记录块而言，将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽，每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小，将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系，将被记录页的信息位写入对应的槽中。本发明根据对闪存结构分布与读写流程等特性的研究以及工程化需求，提供了一种空间高效的小容量信息位跨页存储的地址映射的方法。

技术领域

本发明属于计算机存储领域，更具体地，涉及一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法。

背景技术

随着闪存技术的发展，3D TLC以其高容量、低成本的优势，已经成为未来应用与研究的热点。然而，由于3D TLC的原始比特误码率很高，必须采用LDPC译码算法进行纠错，但LDPC译码器硬件设计复杂，译码延时较高，许多研究者希望对其进行优化和改进。

目前通常采用的优化译码算法的方法需要在带外区域(Out of band，简称OOB)空间中设置信息位，如果信息位过长，则需要将这些信息位存储到闪存中固定的块中，然后建立原始页与对应信息位的映射关系。

然而，上述方法存在一个不可忽略的问题是，其可能导致信息位地址映射的空间大小过长，以致超过信息位的长度或占据较大比重，从而使得这些方法的空间利用率很低。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法，其目的在于，通过引入计算代替存储的方法，解决现有方法中信息位地址映射的空间较大所导致的空间利用率低的技术问题。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法，包括以下步骤：

(1)从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块；

(2)对于每个信息记录块而言，将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽，每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小；

(3)将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系；

(4)将被记录页的信息位写入对应的槽中。

优选地，步骤(4)具体为，首先将被记录页的信息位缓存在内存中，等到内存中缓存的信息位大小等于闪存中的一个信息记录块时，将缓存的该信息位刷新写入到闪存中。

优选地，在断电时，将信息位刷新到固态硬盘上的信息记录块中，当固态硬盘加电时，在读取数据的同时读取相应的信息记录块，以将信息位载入到内存中。

优选地，闪存可以是QLC、TLC、MLC或SLC闪存。

优选地，当闪存是TLC闪存时，所述方法进一步包括步骤(4)之后的如下步骤：当TLC闪存的一个字线上的三个页中的某个页的信息位失效时，回收该信息位在闪存中所占用的空间，使用信息记录块中该记录页的下一个记录页填充删除掉的记录页，并更新信息记录块的最后一个槽记录的信息。

按照本发明的另一方面，提供了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的系统，包括：

第一模块，用于从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块；

第二模块，用于对于每个信息记录块而言，将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽，每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小；

第三模块，用于将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系；

第四模块，用于将被记录页的信息位写入对应的槽中。