[发明专利]薄膜倒装封装及薄膜倒装封装的制造方法有效

专利信息
申请号: 201711069038.4 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN108573930B 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 黄文静;柯建辰 申请(专利权)人: 联咏科技股份有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/492;H01L21/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄膜 倒装 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜倒装封装,包括:

基底膜,包括第一表面以及位于所述第一表面上的安装区域;

图案化线路层,设置在所述第一表面上;

阻焊层,部分地覆盖所述图案化线路层;

芯片,设置在所述安装区域上并且电连接到所述图案化线路层;以及

石墨薄片,覆盖所述阻焊层的至少一部分,其中所述石墨薄片的外缘与所述阻焊层的外缘对齐,其中所述石墨薄片还包括暴露所述芯片的至少一部分的开口。

2.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述开口完全地暴露所述芯片的上表面以及多个侧表面。

3.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述石墨薄片覆盖所述芯片的上表面的至少一部分并且所述开口完全地暴露所述芯片的两个侧表面。

4.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述开口暴露所述芯片的多个侧表面的至少一部分。

5.如权利要求4所述的薄膜倒装封装,其中所述开口暴露所述芯片的两个短侧表面的至少一部分。

6.如权利要求4所述的薄膜倒装封装,其中所述开口完全地暴露所述芯片的两个短侧表面。

7.如权利要求4所述的薄膜倒装封装,其中所述开口暴露所述芯片的两个长侧表面的至少一部分。

8.如权利要求4所述的薄膜倒装封装,其中所述开口完全地暴露所述芯片的两个长侧表面。

9.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述开口暴露所述芯片的上表面的一部分。

10.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述石墨薄片完全地覆盖所述芯片的上表面。

11.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述开口完全地暴露所述芯片的上表面。

12.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述石墨薄片的所述外缘与所述阻焊层的所述外缘之间的距离等于或小于1毫米。

13.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述图案化线路层延伸到所述安装区域并且所述阻焊层暴露出延伸到所述安装区域的所述图案化线路层的一部分。

14.如权利要求13所述的薄膜倒装封装,其中所述芯片设置在延伸到所述安装区域的所述图案化线路层的所述部分上。

15.如权利要求13所述的薄膜倒装封装,其中所述石墨薄片的所述开口暴露出延伸到所述安装区域的所述图案化线路层的所述部分。

16.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,还包括填充在所述芯片与所述基底膜之间的底部填充胶,并且所述开口暴露所述底部填充胶。

17.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述开口暴露所述芯片的整个上表面并且于所述开口与所述芯片的侧表面之间存在间隙。

18.如权利要求17所述的薄膜倒装封装,其中所述间隙的宽度等于或大于2毫米。

19.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,其中所述石墨薄片的厚度介于17微米到20微米的范围。

20.如权利要求1所述的薄膜倒装封装,还包括设置在所述石墨薄片的接合表面上的黏合层,并且所述接合表面是通过所述黏合层贴合到所述阻焊层的表面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联咏科技股份有限公司,未经联咏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711069038.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top