[发明专利]新型可编程芯片电路

说明书

一种新型可编程芯片电路，包括：背偏恒定电路和背偏可调电路，其中所述背偏恒定电路，与所述背偏可调电路耦接，包括：配置模块、全局信号生成模块和专用I/O模块，其中：所述配置模块，适于下载配置文件，并进行参数配置；所述全局信号生成模块，适于生成全局信号，所述全局信号包括：全局电源信号、全局电压信号和全局地信号；所述背偏可调电路包括：一个或者多个相互耦接的背偏可调功能模块，所述背偏可调功能模块适于生成背偏信号，并基于所述背偏信号调节所述背偏可调功能模块的工作模式。应用上述电路，通过背偏可调电路，可以生成背偏信号，并基于背偏信号调节背偏可调功能模块的工作模式。

技术领域

本发明实施例涉及电路领域，尤其涉及一种新型可编程芯片电路。

背景技术

对于晶体管构成的可编程芯片(Programmable Device，PD)，当其加工完成后，可以利用不同的偏置电压对晶体管阈值进行二次调制，即阈值电压调节。通过阈值电压调节，可以动态调节可编程芯片的工作模式，即调节可编程芯片处于高功耗或者低功耗工作模式。

在现有的由晶体管构成的可编程芯片产品中，大多采用体偏置调节技术，即基于体硅或厚膜绝缘硅(Silico On Insulator，SOI)工艺，动态调节可编程芯片的工作模式。但是，由于体偏置调节技术的主要目的是与标称值相一致，缓解由于工艺波动、光刻误差等引起的系统性参数波动，故其调节的电压范围较小，对于可编程芯片的工作模式调节效果较差，导致可编程芯片在商用芯片中的应用受限。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题是如何提供一种可以动态调节芯片工作模式的新型可编程芯片电路。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种新型可编程芯片电路，包括：背偏恒定电路和背偏可调电路，其中：所述背偏恒定电路，与所述背偏可调电路耦接，包括：配置模块、全局信号生成模块和专用I/O模块，其中：所述配置模块，适于下载配置文件，并进行参数配置；所述全局信号生成模块，适于生成全局信号，所述全局信号包括：全局电源信号、全局电压信号和全局地信号；所述背偏可调电路包括：一个或者多个相互耦接的背偏可调功能模块，所述背偏可调功能模块适于生成背偏信号，并基于所述背偏信号调节所述背偏可调功能模块的工作模式。

可选地，所述背偏可调功能模块包括：相互耦接的背偏信号生成子模块和功能子模块，其中所述背偏信号生成子模块，适于生成背偏信号，并基于所述背偏信号和所述全局信号调节所述功能子模块的工作模式。

可选地，相邻的所述背偏可调功能模块共用一个所述背偏信号生成子模块。

可选地，所述背偏信号生成子模块包括：生成子模块，第一控制子模块和第二控制子模块，其中：所述生成子模块，适于生成与所述全局电压信号取值相反的负电压信号，所述负电压信号、所述全局地信号和所述全局电压信号共同作为背偏信号；所述第一控制子模块，适于当所述功能子模块需要高性能时，设置所述功能子模块的NMOS管的背偏压为所述全局电压信号，所述功能子模块的PMOS管的背偏压为所述负电压信号，调节所述功能子模块处于高功耗工作模式；所述第二控制子模块，适于当所述功能子模块需要低性能时，设置所述功能子模块的NMOS管的背偏压为所述负电压信号，所述功能子模块的PMOS管的背偏压为所述全局电压信号，调节所述功能子模块处于低功耗工作模式。

可选地，所述全局电压信号为以下至少一个：I/Q电压信号、内核电压信号。

可选地，所述背偏可调功能模块还包括：使能子模块，适于根据使能信号，打开或者关闭所述背偏生成子模块。

可选地，所述使能子模块包括：设置子模块，适于当所述使能子模块关闭所述背偏生成子模块时，设置所述功能子模块的NMOS管的背偏压和PMOS管的背偏压均为所述全局地信号，调节所述功能子模块至静态等待工作模式。