[发明专利]新型可编程芯片电路

权利要求书

1.一种新型可编程芯片电路，其特征在于，包括：背偏恒定电路和背偏可调电路，其中：

所述背偏恒定电路，与所述背偏可调电路耦接，包括：配置模块、全局信号生成模块和专用I/O模块，其中：所述配置模块，适于下载配置文件，并进行参数配置；所述全局信号生成模块，适于生成全局信号，所述全局信号包括：全局电源信号、全局电压信号和全局地信号；

所述背偏可调电路包括：一个或者多个相互耦接的背偏可调功能模块，所述背偏可调功能模块适于生成背偏信号，并基于所述背偏信号调节所述背偏可调功能模块的工作模式。

2.根据权利要求1所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述背偏可调功能模块包括：相互耦接的背偏信号生成子模块和功能子模块，其中所述背偏信号生成子模块，适于生成背偏信号，并基于所述背偏信号和所述全局信号调节所述功能子模块的工作模式。

3.根据权利要求2所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，相邻的所述背偏可调功能模块共用一个所述背偏信号生成子模块。

4.根据权利要求2所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述背偏信号生成子模块包括：生成子模块，第一控制子模块和第二控制子模块，其中：所述生成子模块，适于生成与所述全局电压信号取值相反的负电压信号，所述负电压信号、所述全局地信号和所述全局电压信号共同作为所述背偏信号；

所述第一控制子模块，适于当所述功能子模块需要高性能时，设置所述功能子模块的NMOS管的背偏压为所述全局电压信号，所述功能子模块的PMOS管的背偏压为所述负电压信号，调节所述功能子模块处于高功耗工作模式；

所述第二控制子模块，适于当所述功能子模块需要低性能时，设置所述功能子模块的NMOS管的背偏压为所述负电压信号，所述功能子模块的PMOS管的背偏压为所述全局电压信号，调节所述功能子模块处于低功耗工作模式。

5.根据权利要求4所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述全局电压信号为以下至少一个：I/Q电压信号、内核电压信号。

6.根据权利要求2所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述背偏可调功能模块还包括：使能子模块，适于根据使能信号，打开或者关闭所述背偏信号生成子模块。

7.根据权利要求6所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述使能子模块包括：设置子模块，适于当所述使能子模块关闭所述背偏信号生成子模块时，设置所述功能子模块的NMOS管的背偏压和PMOS管的背偏压均为所述全局地信号，调节所述功能子模块至静态等待工作模式。

8.根据权利要求1至7任一项所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述背偏可调电路包括：相互耦接的背偏可调逻辑模块、背偏可调专用模块和背偏可调I/O模块，其中所述背偏可调逻辑模块、所述背偏可调专用模块和所述背偏可调I/O模块均为独立的所述背偏可调功能模块。

9.根据权利要求8所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述背偏可调功能模块还包括：识别子模块和选择子模块，其中：

所述识别子模块，适于识别目标电路中的所述背偏信号，并将对应相同的所述背偏信号的所述背偏可调功能模块对应的程序代码放置于相同的所述背偏可调逻辑模块中；

所述选择子模块，适于根据所述背偏可调功能模块的性能需求选择对应的所述背偏信号。

10.根据权利要求1所述的新型可编程芯片电路，其特征在于，所述背偏恒定电路还包括：设置模块，适于设置所述背偏恒定电路的NMOS管的背偏压和PMOS管的背偏压均为所述全局地信号。