[发明专利]图像处理方法、图像处理系统及缺陷检测装置有效
申请号: | 201711066359.9 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107784660B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 罗聪 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G06T7/136 | 分类号: | G06T7/136;G06T7/13;G06T5/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 处理 方法 系统 缺陷 检测 装置 | ||
本发明涉及图像处理方法、图像处理系统及缺陷检测装置,用于对晶元进行光学扫描后形成的原始图像(raw image)进行处理。所述图像处理系统包括图像边缘识别单元、图像分割单元、图像增强单元、图像去噪单元、图像标记单元以及数据存储单元,以便从原始图像中获得目标缺陷例如气泡缺陷的位置和尺寸信息。所述缺陷检测装置包括所述图像处理系统。通过本发明提供的图像处理方法、图像处理系统及缺陷检测装置,可以降低人工判断缺陷的成本以及误差,提高图像处理效率,并且可以及时有效地确定工艺或机台的异常情况,有助于减少由于工艺或机台的异常导致的损失。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种图像处理方法、一种图像处理系统及一种缺陷检测装置。
背景技术
随着半导体制造技术的不断成熟发展,图像传感器越来越集中应用于数码相机、PC相机、影像电话、视讯会议、智能型安保系统、汽车倒车雷达、游戏机以及工业医疗等众多领域。
图像传感器按照感光元件与感光原理的不同,可分为CCD(Charge CoupledDevice,电荷耦合元件)图像传感器与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属-氧化物-半导体)图像传感器。其中,CMOS图像传感器属于光电元器件且CMOS图像传感器由于其制造方法与现有集成电路制造方法兼容,可以将驱动电路和像素集成在一起,简化了硬件设计的同时也降低了系统的功耗,CMOS图像传感器在采集光信号的同时就可以获取电信号,还能实时处理图像信息,反应速度快;同时CMOS图像传感器还具有价格便宜,带宽较大,防模糊,访问灵活和具有较大的填充系数的优点,逐渐成为图像传感器的主流。
一种制造CMOS图像传感器(亦称CIS,CMOS Image Sensor)的方法如下:将一面形成有感光区域的器件晶元(device wafer)与未制作感光区域的底层晶元(carrierwafer)经过磨边(wafertrim)和化学机械研磨(CMP)等相关工艺后,通过粘合剂键合(bond)在一起,之后在键合后的晶元上形成金属引线、彩色滤光片、微透镜、金属隔离栅等,最终形成完整的CMOS图像传感器。
但是,发明人发现,利用上述方法在对器件晶元和底层晶元进行键合之后,经缺陷扫描系统检测,键合后的晶元中存在气泡缺陷(bubble defect)。而现有的图像解析系统对气泡缺陷的解析存在误差,需要人工估算气泡缺陷的大小和数量,并且现有的图像解析系统无法识别晶元边缘的气泡缺陷,只能依靠人工判定是否存在边缘气泡缺陷,此过程增加了人工成本并且存在人工误差,也难以及时发现工艺或者机台的异常(abnormal)情况。
发明内容
本发明的目的是提供一种图像处理方法、一种图像处理系统及一种缺陷检测装置,可以改进现有图像解析过程,提高图像处理效率,并降低人工成本。
为了实现上述目的,一方面,本发明提供了一种图像处理方法,用于对晶元进行光学扫描后形成的原始图像进行处理,包括:
图像分割步骤,去除所述原始图像中的第一类干扰图像的信息;
图像增强步骤,对所述原始图像中的目标缺陷进行图像增强;
图像去噪步骤,去除所述原始图像中的第二类干扰图像的信息;
缺陷识别步骤,对所述原始图像中的目标缺陷进行识别;以及,
数据存储步骤,存储所述目标缺陷的信息。
可选的,在图像分割步骤之前,还包括图像边缘识别步骤,对所述原始图像进行边缘识别,得到所述原始图像中的边缘区域和中心区域。
可选的,所述晶元包括底层晶元和器件晶元,所述底层晶元和器件晶元具有互相接触并重合的表面。所述目标缺陷是气泡缺陷,所述第一类干扰图像包括灰边缺陷和磨边缺陷,所述第二类干扰图像包括上述晶元上的晶粒线条。
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