[发明专利]测试装置以及测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种测试装置以及测试方法。

背景技术

在半导体制造领域，随着器件功能的不断集成和关键尺寸的减小，对产品生产过程变异的检测要求越来越高。目前，生产过程的监控包括厚度和关键尺寸的量测以及缺陷分析(defect scan)，但难以侦测到所有的生产或者机台变异。因此作为产品出货前的最后关卡，晶圆可接受电性测试(WAT，Wafer Acceptance Test)就尤为重要。

目前业界对WAT参数的管控方法主要是通过WAT规格过程控制和监测进行产品监控，并利用一定的规则去判断是否满足客户要求并出货。其中包括：1、Wafer rule(50％site fail by wafer)，即如果在一片晶圆上有超过一半的测试参数失效，则这片晶圆为不合格产品；2、Lot rule(10％site fail by lot)，即如果一个批次(如25片晶圆)的产品中，有超过10％的测试参数失效，则这批晶圆为不合格产品；3、Site rule(50％same site fail by lot)，即如果在一个批次(如25片晶圆)的产品中，有超过一半的测试参数失效并且同属于一个测试区域，则这批晶圆为不合格产品。

然而，现有技术中的WAT测试效率低下，使得产品测试产出量(throughput)不足。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种测试装置以及测试方法，提高测试效率以及产品测试产出量。

为解决上述问题，本发明提供一种测试装置，包括：测试机，用于向待测晶圆提供测试信号，检测待测晶圆是否合格；探针台，所述探针台内设置有若干个承载盘，所述承载盘用于承载待测晶圆；测试头，所述测试头内设置有与所述测试机电连接的若干个探针卡，通过所述探针卡将测试信号传递至所述承载盘上的待测晶圆上。

可选的，所述探针台包括：位于所述承载盘上方的通孔，所述探针卡通过所述通孔将测试信号传递至承载盘的待测晶圆上。

可选的，所述通孔的数量为1，所述通孔横跨所述若干个承载盘；或者，所述通孔的数量为多个，且所述通孔的数量与所述承载盘的数量相同。

可选的，所述若干个承载盘绕同一轴线排布，其中，所述轴线与所述承载盘的承载面相垂直，且任一相邻承载盘与所述轴线之间的夹角均相等。

可选的，所述探针卡的数量与所述承载盘的数量相同；且所述探针卡的位置与所述承载盘的位置一一对应。

可选的，所述探针卡的数量为五个；所述承载盘的数量为五个。

可选的，所述测试装置还包括：设置在所述探针台内的升降机构，所述升降机构与所述承载盘相连接，用于带动所述承载盘上升或者下降。

可选的，所述探针卡上具有一个或多个探针。

本发明还提供一种测试方法，包括：提供上述的测试装置；将待测晶圆放置在所述承载盘上；使所述探针卡与位于承载盘上的待测晶圆电连接，通过所述探针卡将测试机提供的测试信号传递至待测晶圆上，分别对所述若干个承载盘上的待测晶圆进行检测。

可选的，分别对所述若干个承载盘上的待测晶圆进行检测的方法包括：采用相同测试条件，同时对所述若干个承载盘上的待测晶圆进行检测的电性参数相同；或者，采用不同测试条件，同时对所述若干个承载盘上的待测晶圆进行检测的电性参数具有差别。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明提供的测试装置的技术方案中，提供的探针台内设置有若干个用于承载待测晶圆的承载盘，且提供的测试头内设置有与测试机电连接的若干个探针卡，通过所述探针卡将测试信号传递至承载盘上的待测晶圆。通过增加探针卡与承载盘的数量，使得能够同时对多个待测晶圆进行检测，实现批次量测待测晶圆的目的，提高量测效率。

附图说明

图1为一种WAT机台的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的测试装置的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有技术的产品产出量不足。

WAT测试主要通过WAT机台进行。WAT机台主要分为测试机与探针台，当探针台上的探针卡装上后，透过测试机输入电性讯号，通过探针台自动定位晶圆上的测试键，即可自动量测晶圆上的测试键电性结果，判断产品是否满足出货要求。

参考图1，图1为一种WAT机台的结构示意图，所述WAT机台包括：

测试机(未图示)；与所述测试机相连的测试头10，所述测试头10设置有一个探针卡11；探针台20，所述探针台20内设置有一个承载盘21，所述承载盘21用于承载待测晶圆。