[发明专利]取像模组及其制造方法在审
申请号: | 201711062746.5 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN108735764A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 游国良 | 申请(专利权)人: | 金佶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;G06K9/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鹰 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贯孔 线路基板 路基板 发光元件 感测元件 取像模组 配置 三线 第一线 第二基板 第一基板 发光面 感测面 暴露 制造 | ||
1.一种取像模组,其特征在于,所述取像模组包括:
发光元件;
感测元件;
第一线路基板,所述第一线路基板包括第一基板,所述第一基板具有第一贯孔以及第二贯孔,其中所述发光元件配置在所述第一贯孔中,且所述感测元件配置在所述第二贯孔中;
第二线路基板,所述第二线路基板配置在所述第一线路基板的一侧且包括第二基板,所述第二基板具有第三贯孔以及第四贯孔,其中所述第三贯孔与所述第一贯孔重叠且暴露出配置在所述第一贯孔中的所述发光元件的发光面,所述第四贯孔与所述第二贯孔重叠且暴露出配置在所述第二贯孔中的所述感测元件的感测面;以及
第三线路基板,所述第三线路基板配置在所述第一线路基板的另一侧,且所述第一线路基板位于所述第二线路基板与所述第三线路基板之间,其中所述发光元件安装在所述第三线路基板上且与所述三线路基板电性连接。
2.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述发光元件的所述发光面与所述第二基板远离所述第一线路基板的表面位于同一平面上。
3.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述感测元件的所述感测面与所述第一基板面向所述第二线路基板的表面位于同一平面上。
4.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述感测元件的所述感测面与所述第二基板远离所述第一线路基板的表面位于同一平面上,或者所述感测元件的所述感测面高于所述第一基板面向所述第二线路基板的表面且低于所述第二基板远离所述第一线路基板的表面。
5.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
第一黏着层,其中所述第一线路基板与所述第二线路基板通过所述第一黏着层而彼此接合。
6.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
第二黏着层,其中所述第二线路基板与所述第三线路基板通过所述第二黏着层而彼此接合。
7.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
第三黏着层,所述第三黏着层配置在所述第二贯孔中,且所述感测元件通过所述第三黏着层而固定在所述第一基板的所述第二贯孔中。
8.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
第四黏着层,所述第四黏着层配置在所述第一贯孔中,且所述发光元件通过所述第四黏着层而固定在所述第一基板的所述第一贯孔中。
9.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述第一线路基板还包括贯穿所述第一基板的第一导电柱,所述第二线路基板还包括第一线路层,所述第一线路层配置在所述第二基板上且位于所述第二基板与所述第一基板之间,所述第一线路层电性连接至所述感测元件以及所述第一导电柱,所述第三线路基板包括第三基板、贯穿该第三基板的多个第二导电柱、第二线路层以及第三线路层,所述第二线路层以及所述第三线路层分别配置在所述第三基板的相对表面上,其中所述第二线路层位于所述第三基板与所述第一线路基板之间且与所述发光元件、所述第一导电柱以及所述多个第二导电柱电性连接,所述第三线路层与所述多个第二导电柱电性连接。
10.根据权利要求9所述的取像模组,其特征在于,所述感测元件的导电垫位于所述感测元件面向所述第二线路基板的一侧,且所述感测元件的所述导电垫通过所述第一线路层、所述第一导电柱、所述第二线路层以及所述第二导电柱而电性连接至所述第三线路层,所述发光元件表面黏着于所述第二线路层上,且所述发光元件通过所述第二线路层以及所述第二导电柱而电性连接至所述第三线路层。
11.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
透光保护层,所述透光保护层配置在所述第三贯孔中以及所述第四贯孔中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的