[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

导电层，所述导电层各自包括导线和焊盘，所述焊盘与所述导线联接并且具有比所述导线的厚度更厚的厚度，所述导电层被堆叠使得所述焊盘暴露；

绝缘层，所述绝缘层插入在各个导电层之间；

第一间隔件，所述第一间隔件各自插入在上导电层的焊盘与下导电层的焊盘之间；以及

第二间隔件，所述第二间隔件覆盖各个第一间隔件，

其中，所述第二间隔件中的每一个与所述上导电层的焊盘的侧壁和所述下导电层的焊盘的上表面接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件中的每一个覆盖对应的绝缘层的侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述上导电层的焊盘和所述下导电层的焊盘彼此间隔开对应的第一间隔件的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述绝缘层中的每一个与所述下导电层的焊盘之间存在间隙，并且所述间隙由对应的第一间隔件填充。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二间隔件中的每一个的下表面设置在比对应的绝缘层的下表面更高的水平面上。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二间隔件中的每一个包括相对于所述绝缘层和对应的所述第一间隔件具有高蚀刻选择性的材料。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述绝缘层中的每一个或所述第一间隔件中的每一个包括氧化物材料，并且所述第二间隔件中的每一个包括氮化物材料。

8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

导电层，所述导电层各自包括导线和焊盘，所述焊盘与所述导线联接并且具有比所述导线的厚度更厚的厚度，所述导电层被堆叠使得所述焊盘暴露；

绝缘层，所述绝缘层插入在所述导电层之间，所述绝缘层中的每一个具有其端部向上弯曲以覆盖上导电层的焊盘的形状；

接触插塞，所述接触插塞与所述导电层的各个焊盘联接；以及

覆盖所述绝缘层的各个端部的间隔件，

其中，所述间隔件中的每一个与所述上导电层的焊盘的侧壁和下导电层的焊盘的上表面接触。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述绝缘层中的每一个的下表面设置在比对应的间隔件的下表面更低的水平面上。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述间隔件中的每一个包括相对于所述绝缘层具有高蚀刻选择性的材料。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述绝缘层中的每一个包括氧化物材料，并且所述间隔件中的每一个包括氮化物材料。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

形成包括以阶梯结构交替地堆叠的第一材料层和第二材料层的叠层；

在暴露于所述阶梯结构中的所述第一材料层和第二材料层的侧壁上形成第一间隔件；

在形成有所述第一间隔件的叠层上形成第三材料层；

通过选择性地蚀刻第一材料层来形成开口，以便通过所述开口暴露所述第三材料层；

通过选择性地蚀刻经由所述开口暴露的所述第三材料层来形成第二间隔件，其中，所述第二间隔件覆盖各个第一间隔件；以及

在所述开口中形成导电层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第二间隔件的步骤包括使用所述第一间隔件作为蚀刻阻挡层来局部蚀刻所述第三材料层。