[发明专利]一种基于泥质校正的含水饱和度模型的建立、仿真方法

说明书

本发明涉及一种基于泥质校正的含水饱和度模型的建立、仿真方法，其中建立方法包括：确定泥质含量V_sh与深电阻率R_d之间的关系；根据V_sh与R_d之间的关系，确定泥质电阻率R_sh与深电阻率R_d之间的比值系数C；将储层真实电阻率R_t与深电阻率R_d之间的比值设为电阻率校正系数K_sh，并根据含泥质储层之间的并联耦合关系以及比值系数C，确定K_sh与V_sh之间的关系；根据电阻率校正系数K_sh和深电阻率R_d建立基于泥质校正的含水饱和度模型。本发明通过分析泥质含量对地层真电阻率的影响，对所测得的地层电阻率进行泥质校正，可将地层视作消除了泥质含量的“纯地层”，符合经典阿尔奇公式适用范围，根据校正泥质含量之后的地层真电阻率建立含水饱和度的计算模型，从而提高计算的精度。

技术领域

本发明涉及一种基于泥质校正的含水饱和度模型的建立、仿真方法，属于石油勘探开发行业测井领域。

背景技术

含水饱和度的计算是测井定量评价油气层的重要内容之一，计算含水饱和度最普遍的方法是经典阿尔奇公式。该方法主要是通过对地层的岩心样品进行岩电实验分析，建立地层电阻率与含水饱和度之间的关系。但是，阿尔奇公式的使用范围存在一定的局限性，首先，阿尔奇公式是在中大孔隙(大于15％)的岩石条件下建立的；其次，由于不同地区孔隙类型多样，孔隙结构复杂，使得岩石存在较强的纵横向非均质性，影响阿尔奇公式的计算精度。因此，在实际的应用中，基于某个地区的地层特征，很多学者对阿尔奇公式进行了优化改进，分别提出了Hossin模型、Simandoux模型、印度尼西亚模型、W-S、双水和S-B模型等。

在世界能源供需矛盾不断加大的背景下，国内外正在加大开发原来认为开采效率低下的低孔低渗砂泥岩油气田。鉴于低孔低渗砂泥岩储层特征：微孔隙发育，储层微孔隙与大孔隙并存，且夹杂含有泥质，局部泥质含量较高，均会导致电阻率测井得到的地层电阻率不能反应地层的真实情况，使得计算得到的含水饱和度误差较大，影响下一步完井求产的决策。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于泥质校正的含水饱和度模型的建立、仿真方法，用于解决低渗透致密砂岩储层由于泥质含量对地层电阻率影响导致含水饱和度计算不准确的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种基于泥质校正的含水饱和度模型的建立方法，包括以下步骤：

步骤1，由泥质含量V_sh对深电阻率R_d的影响，确定泥质含量V_sh与深电阻率R_d之间的关系；

步骤2，根据泥质含量V_sh与深电阻率R_d之间的关系，确定泥质电阻率R_sh与深电阻率R_d之间的比值系数C；

步骤3，将储层真实电阻率R_t与深电阻率R_d之间的比值设为电阻率校正系数K_sh，并根据含泥质储层之间的并联耦合关系以及泥质电阻率R_sh与深电阻率R_d之间的比值系数C，确定电阻率校正系数K_sh与泥质含量V_sh之间的关系；

步骤4，根据电阻率校正系数K_sh和深电阻率R_d建立基于泥质校正的含水饱和度模型，其数学表达式为：

其中，S_w为含水饱和度，R_w为地层水电阻率，a为与岩性有关的岩性系数，b为与岩性有关的常数，φ为地层孔隙度，m为胶结指数、n为饱和度指数。