[发明专利]一种基于泥质校正的含水饱和度模型的建立、仿真方法

权利要求书

1.一种基于泥质校正的含水饱和度模型的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，由泥质含量V_sh对深电阻率R_d的影响，确定泥质含量V_sh与深电阻率R_d之间的关系；

步骤2，根据泥质含量V_sh与深电阻率R_d之间的关系，确定泥质电阻率R_sh与深电阻率R_d之间的比值系数C；根据泥质含量V_sh与深电阻率R_d之间的关系，确定泥质电阻率R_sh与深电阻率R_d之间的比值系数C的步骤包括：取泥质含量V_sh为第一泥质含量设定值时所对应的泥质电阻率R_s′_h与不同泥质含量V_sh所对应的深电阻率R_d之间的比值作为所述比值系数C，其表达式为：

步骤3，将储层真实电阻率R_t与深电阻率R_d之间的比值设为电阻率校正系数K_sh，并根据含泥质储层之间的并联耦合关系以及泥质电阻率R_sh与深电阻率R_d之间的比值系数C，确定电阻率校正系数K_sh与泥质含量V_sh之间的关系；所确定的电阻率校正系数K_sh与泥质含量V_sh之间的关系公式为：

步骤4，根据电阻率校正系数K_sh和深电阻率R_d建立基于泥质校正的含水饱和度模型，其数学表达式为：

其中，S_w为含水饱和度，R_w为地层水电阻率，a为与岩性有关的岩性系数，b为与岩性有关的常数，φ为地层孔隙度，m为胶结指数、n为饱和度指数；

在储层含水饱和度的计算过程中，利用储层深电阻率R_d和泥质含量V_sh来拟合泥质含量V_sh与深电阻率R_d之间的关系，在利用深电阻率R_d与泥质含量V_sh关系的基础上，根据步骤3)中K_sh公式来估算出不同泥质含量V_sh时的电阻率校正系数K_sh，利用不同泥质含量与对应的电阻率校正系数K_sh的统计关系，直接拟合电阻率校正系数K_sh与泥质含量V_sh关系公式，以根据泥质含量V_sh直接获得电阻率校正系数K_sh，然后利用获得的电阻率校正系数K_sh及步骤4)中的含水饱和度模型，获得储层的含水饱和度。

2.根据权利要求1所述的基于泥质校正的含水饱和度模型的仿真方法，其特征在于，所述第一泥质含量设定值等于100％。