[发明专利]用于多位差错侦检电路的三元按内容寻址存储器有效
申请号: | 201711057260.2 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN108022622B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 伊戈尔·阿尔寿威士基;罗伯特·M·侯尔;麦克·T·法葛诺;A·帕蒂尔;V·D·布特勒 | 申请(专利权)人: | 马维尔亚洲私人有限公司 |
主分类号: | G11C15/04 | 分类号: | G11C15/04 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 差错 电路 三元 内容 寻址 存储器 | ||
本发明涉及一种用于多位差错侦检电路的三元按内容寻址存储器,其揭露预充电电路,包括接收早期预充电信号并输出反相早期预充电信号的第一反相器、接收晚期预充电信号与匹配线输出信号并输出AND输出信号的第一门、以及接收该反相早期预充电信号与该AND输出信号并输出有效预充电信号的第二门。
技术领域
本发明涉及三元按内容寻址存储器(TCAM)电路,尤其涉及将双相预充电电路用于多位差错侦检电路的三元按内容寻址存储器(TCAM)。
背景技术
按内容寻址存储器(CAM)为高速搜寻操作中所使用特殊类型的电脑存储器。CAM是设计成使得使用者供应数据字,并且CAM搜寻其整个存储器以查看此数据字是否有存储于CAM中。若查到此数据字,则CAM回传查到此字处的一或多个存储位址的清单。
CAM是设计成用以在单一操作中搜寻其整个存储器,使得CAM在大部分搜寻操作中快于随机存取存储器(RAM)。然而,在CAM中,平行CAM中的各个别存储器位必须具有其自有的相关联比较电路,用以侦检所存储位与输入位之间的匹配。再者,必须将数据字中出自各单元的匹配输出组合以产出完整的数据字匹配信号。
三元按内容寻址存储器(TCAM)容许三种匹配状态,其包括所存储数据字中一或多个位用的1、0及「X」(即随意)。TCAM执行整个存储器内容的完全平行搜寻,并且在单一时钟周期中将通配型样匹配用于回传搜寻结果。此功能使TCAM对于在网路路由器、处理器快取以及许多型样辨识应用中实施快速硬体查找表引人注目。然而,对于更高效能与存储器密度外加已高度平行启动的推动,引起会导致TCAM及其周围逻辑两者都时序失效的噪声挑战。
发明内容
在本发明的一态样中,一种预充电电路包括接收早期预充电信号并输出反相早期预充电信号的第一反相器、接收晚期预充电信号与匹配线输出信号并输出AND输出信号的第一门,以及接收该反相早期预充电信号与该AND输出信号并输出有效预充电信号的第二门。
在本发明的另一态样中,一种预充电电路包括接收早期预充电信号并输出反相早期预充电信号的第一反相器、接收晚期预充电信号与匹配线输出信号并输出AND输出信号的AND门、接收该反相早期预充电信号与该AND输出信号并输出有效预充电信号的OR门,以及具有连接至电源供应器的源极以及连接至该有效预充电信号的栅极的PFET晶体管。
在本发明的另一态样中,一种方法包括搭配匹配线输出信号采逻辑方式组合多个相位预充电信号,以及侦检三元按内容寻址存储器(TCAM)电路内的多位失配,以便降低搜寻操作期间的电流消耗。
附图说明
本发明是通过本发明例示性具体实施例的非限制性实施例,参照注记的多个图式,在以下详细说明中作说明。
图1根据本发明的态样,展示将双相预充电电路用于多位差错侦检电路的三元按内容寻址存储器(TCAM)。
图2根据本发明的态样,展示用于多位差错侦检电路的TCAM的输入、输出及电流的曲线图。
图3根据本发明的态样,展示搜寻周期期间归一化(normalize)平均预充电电流的曲线图。
图4根据本发明的附加态样,展示在已知感测放大器与双相预充电感测放大器之间作比较的曲线图。
符号说明:
10 TCAM电路
20 预充电电路、双相预充电电路
21 反相器
22 AND栅极
23 OR栅极
30 匹配器件
40 反相器
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