[发明专利]用于多位差错侦检电路的三元按内容寻址存储器

权利要求书

1.一种预充电电路，包含：

接收早期预充电信号并输出反相早期预充电信号的第一反相器；

接收晚期预充电信号与匹配线输出信号并输出AND输出信号的第一门；以及

接收该反相早期预充电信号与该AND输出信号并输出有效预充电信号的第二门。

2.如权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，还包含：

具有连接至电源供应器的源极以及连接至该有效预充电信号的栅极的PFET晶体管；

具有与该PFET晶体管的漏极连接的漏极以及与第二反相器的输出连接的栅极的第一NFET晶体管；以及

具有与该第一NFET晶体管的源极连接的漏极、连接至复位信号的栅极以及连接至接地的源极的第二NFET晶体管。

3.如权利要求2所述的预充电电路，其特征在于，还包含：

与该第二NFET晶体管的该漏极连接并与该第二反相器的输入连接的多个匹配器件；以及

输入连接至介于该PFET晶体管与该第一NFET晶体管之间的节点并且输出该匹配线输出信号的第三反相器。

4.如权利要求3所述的预充电电路，其特征在于，各所述多个匹配器件是NFET器件。

5.如权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，所述早期预充电信号在预充电周期的第一部分时走高，而该晚期预充电信号则停在低。

6.如权利要求5所述的预充电电路，其特征在于，所述晚期预充电信号在该预充电周期的第二部分时走高，而该早期预充电信号则停在高。

7.如权利要求6所述的预充电电路，其特征在于，所述预充电周期的该第一部分是在该预充电周期的该第二部分之前。

8.如权利要求2所述的预充电电路，其特征在于，若该匹配线输出信号在该晚期预充电信号走高时处于高，则该PFET晶体管断开，并且电流不流经该PFET晶体管。

9.如权利要求8所述的预充电电路，其特征在于，当所述匹配线输出信号处于高且该晚期预充电信号走高时出现多位差错。

10.如权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，所述预充电电路是用于三元按内容寻址存储器(TCAM)的感测放大器(SA)。

11.一种预充电电路，包含：

接收早期预充电信号并输出反相早期预充电信号的第一反相器；

接收晚期预充电信号与匹配线输出信号并输出AND输出信号的AND门；

接收该反相早期预充电信号与该AND输出信号并输出有效预充电信号的OR门；以及

具有连接至电源供应器的源极以及连接至该有效预充电信号的栅极的PFET晶体管。

12.如权利要求11所述的预充电电路，其特征在于，还包含：

具有与该PFET晶体管的漏极连接的漏极以及与第二反相器的输出连接的栅极的第一NFET晶体管；以及

具有与该第一NFET晶体管的源极连接的漏极、连接至复位信号的栅极以及连接至接地的源极的第二NFET晶体管。

13.如权利要求12所述的预充电电路，其特征在于，还包含：

与该第二NFET晶体管的该漏极连接并与该第二反相器的输入连接的多个匹配器件；以及

连接至介于该PFET晶体管与该第一NFET晶体管之间的节点并且输出该匹配线输出信号的第三反相器，

其中，各该多个匹配器件是NFET器件。

14.如权利要求11所述的预充电电路，其特征在于，所述早期预充电信号在预充电周期的第一部分时走高，而该晚期预充电信号则停在低。