[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在下面的结构上方形成层间介电层，所述下面的结构包括：

栅极结构，设置在鳍结构的沟道区域上方；和

第一源极/漏极外延层，设置在所述鳍结构的源极/漏极区域处，其中，在设置于所述鳍结构中的具有U形轮廓的凹槽中和之上形成所述第一源极/漏极外延层；

通过蚀刻所述层间介电层的部分以及所述第一源极/漏极外延层的上部在所述第一源极/漏极外延层上方形成第一开口；

在蚀刻的第一源极/漏极外延层上方形成第二源极/漏极外延层；以及

在所述第二源极/漏极外延层上方形成导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述下面的结构还包括蚀刻停止层，以及

在形成所述第一开口中，也蚀刻了所述蚀刻停止层的部分。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述第二源极/漏极外延层之后：

在所述第二源极/漏极外延层上方形成金属层；以及

通过使所述金属层与所述第二源极/漏极外延层反应形成硅化物层，

其中，在所述硅化物层上形成所述导电材料。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括，在形成所述金属层之前，对所述第二源极/漏极外延层实施注入操作。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述第一开口之后，

在所述第一开口中以及所述层间介电层上方形成覆盖层；以及

图案化所述覆盖层，从而在所述覆盖层中形成第二开口，

其中，在所述第二开口中形成所述第二源极/漏极外延层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一源极/漏极外延层与所述第二源极/漏极外延层具有不同的组成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层包含Ge，以及

所述第二源极/漏极外延层中的Ge浓度高于所述第一源极/漏极外延层中的Ge浓度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层的至少一个还包含B。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二源极/漏极外延层包括选自SiP、InP和GaInP组成的组中的一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在垂直于所述鳍结构的延伸方向的截面上，所述第二源极/漏极外延层的宽度大于所述第一源极/漏极外延层的顶面的宽度。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在下面的结构上方形成层间介电层，所述下面的结构包括：

用于第一导电类型的鳍式场效应晶体管(FinFET)的第一栅极结构和第一源极/漏极外延层；和

用于第二导电类型的鳍式场效应晶体管(FinFET)的第二栅极结构和第二源极/漏极外延层；

通过蚀刻所述层间介电层的部分和所述第一源极/漏极外延层的上部在所述第一源极/漏极外延层上方形成第一开口，并且通过蚀刻所述层间介电层的部分和所述第二源极/漏极外延层的上部在所述第二源极/漏极外延层上方形成第二开口；以及

在蚀刻的第一源极/漏极外延层上方形成第三源极/漏极外延层，同时用第一覆盖层覆盖所述第二开口。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

去除所述第一覆盖层；以及

在蚀刻的第二源极/漏极外延层上方形成第四源极/漏极外延层，同时用第二覆盖层覆盖所述第三源极/漏极外延层。