[发明专利]用于半导体工艺腔的泵系统在审
申请号: | 201711054254.1 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN107799445A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 李国强;林宗贤;吴龙江 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 工艺 系统 | ||
技术领域
本公开涉及用于抽气的泵系统,具体来说,涉及用于半导体工艺腔的泵系统。
背景技术
在半导体制造工艺中,通常将晶圆置于工艺腔中进行处理,例如进行成膜、刻蚀、清洗等。工艺腔中进行的各种半导体工艺通常需要工艺腔维持于一定的气体压力或一定的气体压力范围内。此外,在进行各种半导体工艺的过程中,可能会产生废气,对工艺腔中的晶圆造成污染,影响其性能。
需要提出一种新的技术来解决上述现有技术中的一个或多个问题。
发明内容
本公开的一个目的是提供一种用于半导体工艺腔的改进的泵系统。
根据本公开的一个方面,提供了一种用于半导体工艺腔的泵系统,其特征在于,所述泵系统包括:两个或更多个泵,所述两个或更多个泵并联配置,并且每个所述泵包括进气端和排气端,所述泵用于对所述工艺腔进行抽气;进气通路,其中所述两个或更多个泵中的每一个的所述进气端通过所述进气通路单独地与所述工艺腔耦合;排气通路,其中所述两个或更多个泵中的每一个的所述排气端耦合到所述排气通路;以及与所述两个或更多个泵中的每一个相对应的关断装置,将相对应的进气通路或排气通路关断,其中当两个或更多个所述泵中的任意一个发生故障时,将相对应的进气通路或排气通路关断,并且其它泵对工艺腔抽气。
根据本公开的一个实施方式,所述泵系统还包括故障确定装置,所述故障确定装置确定所述两个或更多个泵中的每一个是否发生故障,并且在确定所述两个或更多个泵中的一个发生故障时发出报警信号。
根据本公开的一个实施方式,在正常工作时,所述两个或更多个泵中的一部分处于开启状态,并且当泵发生故障时,与发生故障的泵数量相同的泵自动启动。
根据本公开的一个实施方式,所述泵系统还包括控制装置,所述控制装置响应于所述报警信号而启动所述两个或更多个泵中的一个或多个。
根据本公开的一个实施方式,在正常工作时,所述两个或更多个泵均处于开启状态。
根据本公开的一个实施方式,所述关断装置为防反冲机构,所述防反冲机构包括与每个泵相对应的阀门,并且所述阀门在相对应的所述泵发生故障时关闭。
根据本公开的一个实施方式,在所述泵发生故障时,相对应的所述阀门两侧的压力差发生变化,所述阀门响应于其两侧的压力差变化而自动地打开或关闭。
根据本公开的一个实施方式,所述故障确定装置响应于所述两个或更多个泵中的一个泵的运转电流低于预定的阈值电流而确定所述泵发生故障。
根据本公开的一个实施方式,所述故障确定装置响应于所述两个或更多个泵中的一个泵的转速超过预定的阈值转速而确定所述泵发生故障。
根据本公开的一个实施方式,每个所述关断装置与所述故障确定装置通信耦合,并且每个所述关断装置响应于所述故障确定装置确定与所述关断装置相对应的所述泵发生故障而将相对应的进气通路或排气通路关断。
根据本公开的一个实施方式,所述关断装置布置在所述泵的排气端,并且在所述泵发生故障时将相对应的排气通路关断。
根据本公开的一个实施方式,所述泵系统还包括与所述泵的排气端耦合的净化装置,用于净化从所述泵排出的气体。
根据本公开的一个实施方式,所述两个或更多个泵中的任意两个之间的泵速之比为1至1.4。
根据本公开的实施例的一个优点在于,能够为半导体工艺腔提供适当的气体环境。
根据本公开的实施例的另一个优点在于,能够防止在泵系统发生故障时废气逆流进入半导体工艺腔。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
图1是示出根据本公开的示例性实施例的泵系统的示图。
图2是示出根据本公开的示例性实施例的包括两个或更多个泵的泵系统的示图。
图3A是示出根据本公开的示例性实施例的泵系统的示图。
图3B是示出根据本公开的示例性实施例的泵系统的信号流的示图。
图4是示出用于根据本公开的示例性实施例的泵系统的关断装置的示例性实施例的示图。
图5是示出用于根据本公开的示例性实施例的泵系统的关断装置的另示例性实施例的示图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造