[发明专利]显示装置的制造方法有效
申请号: | 201711052105.1 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN108573991B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 张俊仪;陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示装置的制造方法,其包含:在阵列基板上形成至少两个下导电线路;分别在下导电线路上设置至少四个微型发光元件;形成至少一个填充材料以覆盖微型发光元件;通过光微影工艺在填充材料中形成至少四个开口,使得微型发光元件分别暴露于填充材料的开口内;以及在填充材料上形成至少两个上导电线路。上导电线路通过填充材料的开口而电性连接于微型发光元件,且上导电线路以及下导电线路相交于微型发光元件。借此,由于填充材料的开口实质上对齐位于导电粘合层上的微型发光元件中对应的一个,因而省去制作光罩的成本。
技术领域
本发明是关于一种显示装置,特别是关于一种显示装置的制造方法。
背景技术
近年来,发光二极管(light emitting diodes,LEDs)已经普及于一般照明以及商业照明的应用中。作为光源,发光二极管具有能量消耗低、使用寿命长、体积小、快速转换开关等诸多优点,因此白炽灯等照明逐渐被发光二极管所取代。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置的制造方法,该方法填充材料的开口实质上对齐位于导电粘合层上的微型发光元件中对应的一个,因而省去制作光罩的成本。
依据本发明的一实施方式,一种显示装置包含阵列基板、至少两个下导电线路、至少四个微型发光元件、至少四个导电层、至少两个上导电线路以及至少一个填充材料。下导电线路设置于阵列基板上。导电层分别设置于下导电线路与微型发光元件之间。上导电线路与下导电线路相交于微型发光元件。每个微型发光元件是设置于下导电线路中的至少一个与上导电线路之中的至少一个之间。填充材料设置于阵列基板上,且具有至少四个开口。填充材料的开口分别暴露微型发光元件。上导电线路分别通过填充材料的开口而电性连接于微型发光元件,且填充材料的开口分别实质上对齐于导电层。
依据本发明的另一实施方式,一种显示装置的制造方法包含:在阵列基板上形成至少两个下导电线路;在下导电线路上设置至少四个微型发光元件分别;形成至少一个填充材料以覆盖微型发光元件;通过光微影工艺在填充材料中形成至少四个开口,使得微型发光元件分别暴露于填充材料的开口内;以及在填充材料上形成至少两个上导电线路。上导电线路通过填充材料的开口而电性连接于微型发光元件,且上导电线路以及下导电线路相交于微型发光元件。
在本发明的一个或多个实施方式中,形成填充材料的多个开口包含:至少通过阵列基板对填充材料照射至少一个电磁波,以将填充材料的多个开口图案化于填充材料中。
在本发明的一个或多个实施方式中,还包含:在多个微型发光元件中的一个与多个下导电线路中对应的一个之间形成至少一个导电层。导电层的材质为可反射电磁波的材料。
在本发明的一个或多个实施方式中,照射电磁波包含:沿着一个方向照射电磁波。前述方向实质上垂直于多个微型发光元件中的一个背离阵列基板的表面。
在本发明的一个或多个实施方式中,填充材料的材质为光反应材料。
在本发明的一个或多个实施方式中,填充材料的材质为一折射指数介于约1.5与约2.5之间的材料。
在本发明的一个或多个实施方式中,形成填充材料的多个开口包含:移除填充材料远离阵列基板的部位,以形成连接于填充材料的多个开口的表面。前述表面的斜率朝接近填充材料的多个开口的方向逐渐增加。
在本发明的一个或多个实施方式中,还包含:在多个微型发光元件中的一个与多个下导电线路中对应的一个之间形成至少一个导电层。
在本发明的一个或多个实施方式中,导电层的穿透率(transmittance)系小于填充材料的穿透率。
在本发明的一个或多个实施方式中,形成填充材料的多个开口包含:至少通过阵列基板以及导电层而对填充材料照射至少一个电磁波;以及对填充材料进行显影工艺,以将填充材料的多个开口图案化于填充材料中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的