[发明专利]显示装置的制造方法有效
申请号: | 201711052105.1 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN108573991B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 张俊仪;陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包含:
在阵列基板上形成至少两个下导电线路;
在所述至少两个下导电线路上设置至少四个微型发光元件分别;
形成至少一个填充材料以覆盖所述至少四个微型发光元件;
通过光微影工艺在所述填充材料中形成至少四个开口,使得所述至少四个微型发光元件分别暴露于所述填充材料的所述至少四个开口内;以及
在所述填充材料上形成至少两个上导电线路,其中所述至少两个上导电线路通过所述填充材料的所述至少四个开口而电性连接于所述至少四个微型发光元件,所述至少两个上导电线路以及所述至少两个下导电线路相交于所述至少四个微型发光元件,且所述至少两个下导电线路中的一个在所述阵列基板上的正投影与所述至少两个上导电线路中的每一个在所述阵列基板上的正投影重叠。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述在所述填充材料中形成所述至少四个开口包含:
至少通过所述阵列基板对所述填充材料照射至少一个电磁波,以将所述至少四个开口图案化于所述填充材料中。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于,还包含:
在所述至少四个微型发光元件中的一个与所述至少两个下导电线路中对应的一个之间形成至少一个导电层,且所述导电层的材质为能够反射所述电磁波的材料。
4.如权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述照射所述电磁波包含:
沿着垂直于所述至少四个微型发光元件中的所述一个背离所述阵列基板的表面方向照射所述电磁波。
5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述填充材料的材质为光反应材料。
6.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述填充材料的材质为折射指数介于1.5与2.5之间的材料。
7.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述在所述填充材料中形成所述至少四个开口包含:
移除所述填充材料远离所述阵列基板的部位,以形成连接于所述至少四个开口的表面,所述表面的斜率朝接近所述至少四个开口的方向逐渐增加。
8.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,还包含:
在所述至少四个微型发光元件中的一个与所述至少两个下导电线路中对应的一个之间形成至少一个导电层。
9.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述导电层的穿透率小于所述填充材料的穿透率。
10.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述在所述填充材料中形成所述至少四个开口包含:
至少通过所述阵列基板以及所述导电层而对所述填充材料照射至少一个电磁波;以及
对所述填充材料进行显影工艺,以将所述至少四个开口图案化于所述填充材料中。
11.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述形成所述至少一个导电层包含形成至少一个反射层。
12.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述形成所述至少一个导电层包含形成至少一个导电粘合层以及至少一个接合层。
13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述导电粘合层以及所述接合层中的至少一个具有不透明部位。
14.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述在阵列基板上形成所述至少两个上导电线路包含:
在覆盖基板上形成所述至少两个上导电线路;以及
在所述填充材料上设置所述覆盖基板,并通过所述至少四个开口将所述至少两个上导电线路电性连接于所述至少四个微型发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的