[发明专利]一种基底预对准方法和装置以及一种光刻机

说明书

本发明提供的一种基底预对准方法和装置以及一种光刻机，所述基底预对准方法包括选取基准基底，获取所述基准基底的图像；获取待预对准基底的图像；将所述待预对准基底的图像与所述基准基底的图像进行配准，得出完成配准的预对准基底的图像的偏移参数；根据所述偏移参数调整所述待预对准基底的角度，完成基底预对准；所述基底预对准装置包括定位装置，图像采集分析装置以及控制装置。使用本发明提供的一种基底预对准方法和装置以及一种光刻机，无需在基底上进行特定的标记便可实现对基底的预对准操作，通用性更强，有利于提高生产效率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种基底预对准方法和装置以及一种光刻机。

背景技术

在复杂的光刻机中，各个分系统的协调工作都是为了将基底精确放置在曝光台上，以便掩模板上的电路图能被精确曝光在基底指定的位置。但由于基底在传输的过程中方向是随机的，不可避免的与指定的基底曝光位置和曝光方向存在偏差，在光刻机中加入基底预对准系统能够很好的调节这种偏差。

现有的基底预对准系统主要通过在基底上进行定位标记，将基底定心后通过精确定位基底上的标记，将基底转移到指定角度，从而实现调节上述偏差的目的。但TSV(硅通孔)工艺基底的工艺复杂，且不同基底采用的标记类型也不一样，这就导致狭义的标记识别和定位方法无法适用于所有类型的基底，而广义的标记识别和定位方法又无法适用于TSV基底的部分工艺层。因此设计一种不依赖于基底标记信号的基底预对准方法已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种基底预对准方法和装置以及一种光刻机，以克服上述技术缺陷。

为解决上述技术问题，本发明的提供一种基底预对准方法，包括如下步骤：

选取基准基底，获取所述基准基底的图像；

获取待预对准基底的图像；

将所述待预对准基底的图像与所述基准基底的图像进行配准，得出完成配准的预对准基底的图像的偏移参数；

根据所述偏移参数调整所述待预对准基底的角度，完成基底预对准。

可选地，将所述待预对准基底的图像与所述基准基底的图像进行配准的过程具体包括：

步骤31：提取所述基准基底图像的特征点作为参照特征点集；

步骤32：提取所述待预对准基底图像的特征点作为配准特征点集；

步骤33：将所述配准特征点集配准至所述参照特征点集使两者重合提取所述基准基底图像中的多个特征点以构成参照特征点集；

提取所述待预对准基底图像中的多个特征点以构成配准特征点集；

将所述配准特征点集配准至所述参照特征点集以使两者重合。

可选地，所述特征点包括斑点和/或角点。

可选地，利用ICP算法将所述配准特征点集配准至所述参照特征点集。

可选地，所述利用ICP算法将所述配准特征点集配准至所述参照特征点集的过程包括：计算所述参照特征点集中与所述配准特征点集中的每个配准特征点最近的参照特征点；计算出每个配准特征点和与其对应的最近的参照特征点之间平均距离最小的刚体变换并得出偏移参数；对所述配准特征点集使用所述偏移参数得出新的变换点集；迭代计算直至所述变换点集和所述参照特征点集间的平均距离小于设定的阈值，完成配准。

可选地，采用K-D树算法计算所述参照特征点集中与所述配准特征点集中的每个配准特征点最近的参照特征点。

可选地，在计算所述参照特征点集中与所述配准特征点集中的每个配准特征点最近的参照特征点后还利用RANSAC算法在所述最近的参照特征点中去除错误的参照特征点。