[发明专利]蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法

说明书

本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻液组合物、使用该组合物的布线图案形成方法以及有机发光显示装置的制造方法。

背景技术

有机发光显示装置(organic light emitting display device)是利用发射光的有机发光元件(organic light emitting diode)显示图像的自发光型显示装置。有机发光显示装置具有低耗电、高亮度以及高响应速度等特性，因此目前作为显示装置而备受瞩目。

有机发光显示装置可以根据发光方向可以分类为顶部发光型(Topemissiontype)与底部发光型(Bottom emission type)。其中，顶部发光型有机发光显示装置包括用于将产生于有机发光层的光发射到外部的反射电极。反射电极可以通过包括反射层的导电膜的蚀刻而制造。并且，在这种导电膜的蚀刻中使用蚀刻液组合物。

发明内容

本发明的一实施例的目的在于提供一种如下的蚀刻液组合物，其可用于蚀刻由包括金属的第一导电膜与包括透明导电氧化物的第二导电膜组成的多重膜。本发明的一实施例的目的尤其是在于提供一种如下的蚀刻液组合物，其可用于蚀刻由包括铝的第一导电膜与包括铟的第二导电膜组成的多重膜。

本发明的另一实施例的目的在于提供一种使用这种蚀刻液组合物的导电图案形成方法。

本发明的又一实施例的目的在于提供一种使用这种蚀刻液组合物的包括电极形成步骤的有机发光显示装置的制造方法。

本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

所述蚀刻液组合物不包括醋酸(CH₃COOH)。

所述氯化物在水中电离而形成氯离子(Cl^-)。

所述氯化物包括选自氯化氢(HCl)、氯化钠(NaCl)、氯化铵(NH₄Cl)、氯化钾(KCl)、氯化锂(LiCl)、氯化锌(ZnCl₂₎、氯化镁(MgCl₂₎和氯化铁(FeCl₃₎中的至少一个。

所述磺酸化合物包括环形磺酸化合物和碳化氢系磺酸化合物中的至少一种。

所述磺酸化合物包括甲磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、磺酸铵和氨基磺酸中的至少一个。

所述蚀刻液组合物用于多重膜的蚀刻，该多重膜包括：第一导电膜，包括金属；以及第二导电膜，包括透明导电氧化物。

所述第一导电膜包括铝。

所述透明导电氧化物包括铟(In)。

本发明的另一实施例提供一种导电图案的形成方法，其包括：在基板上形成包括金属的第一导电膜以及包括透明导电氧化物的第二导电膜的步骤；以及利用蚀刻液组合物蚀刻所述第一导电膜和所述第二导电膜的步骤，其中，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

所述蚀刻液组合物不包括醋酸。

所述第一导电膜包括铝。

所述第一导电膜包括铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)。

所述透明导电氧化物包括铟(In)。