[发明专利]用于提高液晶显示器亮度的方法及液晶显示器在审

专利信息
申请号: 201711043041.9 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107578758A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 唐岳军;陈阳;姜晓辉;刘丹丹 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,顾楠楠
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 用于 提高 液晶显示器 亮度 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种显示面板技术,特别是一种用于提高液晶显示器亮度的方法及液晶显示器。

背景技术

在液晶显示器中有RGB三色显示系统,然而随着分辨率提升需要液晶显示器的光效率提升以达到低功耗、高亮度的目的,特别是4K及其以上分辨率产品,因此RGBW四色显示器系统被提出来。RGBW四色系统不仅具有红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B),其还包括亮度强化子像素(W),从而能够完全实现RGB三色系统所能够实现的全部功能,而且其具有光效高、功耗较低的优点。然而W子像素的加入也会导致液晶显示器色饱和度降低、白点色坐标漂移等光学问题,然而在一些过高PPI(4K分辨率或以上)和适用户外的显示器中W子像素的加入并未完全满足光效率提高的目的。

发明内容

为克服现有技术的不足,本发明提供一种用于提高液晶显示器亮度的方法及液晶显示器,提升了RGBW四色显示系统液晶显示器的应用范围、显示品质和人眼观看舒适性。

本发明提供了一种用于提高液晶显示器亮度的方法,所述液晶显示器包括RGBW子像素,其中,W子像素的亮度通过调节W子像素所对应的子像素电极的宽度、间距、液晶盒厚、分支数量、W子像素所对应的子像素电极处的沟道区、W子像素所对应的子像素电极处的开口率中的一种或一种以上方式实现。

进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的宽度具体为将W子像素所对应的子像素电极的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的宽度,实现W子像素亮度的调节。

进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的间距具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距,实现W子像素亮度的调节。

进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的液晶盒厚具体为将W子像素所对应的子像素电极所在高度设置为高于或低于RGB子像素所对应的子像素电极的所在高度,实现W子像素亮度的调节。

进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的分支数量具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支数量设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支数量,实现W子像素亮度的调节。

进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极处的沟道区具体为将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度和/或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节。

进一步地,将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节。

进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极处的开口率具体为将W子像素所对应的子像素电极处的开口率设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的开口率,实现W子像素亮度的调节。

本发明还提供了一种液晶显示器,包括彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板包括RGBW子像素,阵列基板包括与RGBW子像素相对应的子像素电极,所述W子像素的亮度采用所述的用于提高液晶显示器亮度的方法实现对W子像素的亮度调节。

本发明与现有技术相比,采用W子像素的亮度通过调节W子像素所对应的子像素电极的宽度、间距、液晶盒厚、分支数量、W子像素所对应的子像素电极处的沟道区、W子像素所对应的子像素电极处的开口率中的一种或一种以上方式实现,克服了RGBW四色显示系统液晶显示器的缺点,扩大了RGBW四色显示系统液晶显示器的优点,提升了RGBW四色显示系统液晶显示器的应用范围、显示品质和人眼观看舒适性。

附图说明

图1-1是本发明实施例1的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;

图1-2是本发明实施例2的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;

图2-1是本发明实施例3的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;

图2-2是本发明实施例4的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;

图3-1是本发明实施例5的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;

图3-2是本发明实施例6的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;

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