[发明专利]可变电阻存储装置

说明书

一种可变电阻存储装置包括：第一电极线；单元结构，包括位于所述第一电极线上的可变电阻层以及保护所述可变电阻层的第一阻挡层；以及第二电极线，位于所述单元结构上，其中所述第一阻挡层位于以下中的至少一个上：所述可变电阻层的上表面、所述可变电阻层的下表面及所述可变电阻层的所述上表面与所述下表面二者，且所述第一阻挡层包括金属层或含碳导电层。

技术领域

本发明的实施例涉及一种可变电阻存储装置。

背景技术

作为闪速存储器装置的替代品，可变电阻存储装置已引起关注，所述可变电阻存储装置利用根据所施加的电压而改变的可变电阻层的电流转移特性。可变电阻存储装置的实例包括相变随机存取存储器(phase change random access memory，PRAM)或电阻式随机存取存储器(resistive RAM，RRAM)。

发明内容

本发明的实施例可通过提供一种可变电阻存储装置来实现，所述可变电阻存储装置包括：第一电极线；单元结构，包括位于所述第一电极线上的可变电阻层以及保护所述可变电阻层的第一阻挡层；以及第二电极线，位于所述单元结构上，其中所述第一阻挡层位于以下中的至少一个上：所述可变电阻层的上表面、所述可变电阻层的下表面及所述可变电阻层的所述上表面与所述下表面二者，且所述第一阻挡层包括金属层或含碳导电层。

本发明的实施例可通过提供一种可变电阻存储装置来实现，所述可变电阻存储装置包括：多条第一电极线，在第一方向上延伸，且相互平行地配置并相互间隔开；多条第二电极线，在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，位于所述多条第一电极线上方，且相互平行地配置并相互间隔开；以及多个存储单元，位于所述多条第一电极线与所述多条第二电极线的交叉部位处且相互间隔开，其中：所述多个存储单元中的每一个包括单元结构，所述单元结构电连接到第一电极线中的一条及第二电极线中的一条且包括选择装置层、中间电极层、可变电阻层及阻挡层，所述阻挡层位于以下中的至少一个上：所述选择装置层或所述可变电阻层的上表面、所述选择装置层或所述可变电阻层的下表面及所述选择装置层或所述可变电阻层的所述上表面及所述下表面二者，且所述阻挡层包括金属层或含碳导电层。

本发明的实施例可通过提供一种可变电阻存储装置来实现，所述可变电阻存储装置包括：第一电极线层，位于衬底上，所述第一电极线层包括多条第一电极线，所述多条第一电极线相互平行地配置且在第一方向上相互间隔开；第二电极线层，配置在所述第一电极线层上方且包括多条第二电极线，所述多条第二电极线相互平行地配置且在与所述第一方向垂直的第二方向上相互间隔开；第三电极线层，配置在所述第二电极线层上方且包括多条第三电极线，所述多条第三电极线与所述多条第一电极线完全对应地配置；第一存储单元层，包括多个第一存储单元，所述多个第一存储单元配置在所述多条第一电极线与所述多条第二电极线的交叉部位处；以及第二存储单元层，包括多个第二存储单元，所述多个第二存储单元配置在所述多条第二电极线与所述多条第三电极线的交叉部位处；其中：所述多个第一存储单元及所述多个第二存储单元中的每一个包括单元结构，所述单元结构包括选择装置层、中间电极层、可变电阻层及阻挡层，且所述阻挡层形成在以下中的至少一个上：所述选择装置层及所述可变电阻层中的每一个的上表面、所述选择装置层及所述可变电阻层中的每一个的下表面及所述选择装置层及所述可变电阻层中的每一个的所述上表面与所述下表面二者，且所述阻挡层包括金属层或含碳导电层。

本发明的实施例可通过提供一种可变电阻存储装置来实现，所述可变电阻存储装置包括：第一电极线；第二电极线；以及单元结构，位于所述第一电极线与所述第二电极线之间，所述单元结构包括位于所述第一电极线上的可变电阻层及用于保护所述可变电阻层的第一阻挡层，其中：所述第一阻挡层直接接触所述可变电阻层的至少一个表面，且所述第一阻挡层包括金属层或含碳导电层。

附图说明

通过参照附图详细阐述示例性实施例，对所属领域中的技术人员来说本发明的特征将显而易见，在附图中：

图1说明根据实施例的可变电阻存储装置的等效电路图。