[发明专利]可变电阻存储装置

权利要求书

1.一种可变电阻存储装置，其特征在于，包括：

第一电极线；

单元结构，包括位于所述第一电极线上的可变电阻层以及保护所述可变电阻层的第一阻挡层；以及

第二电极线，位于所述单元结构上，

其中：

所述第一阻挡层位于以下表面的至少其中一个上：所述可变电阻层的上表面、所述可变电阻层的下表面、以及所述可变电阻层的所述上表面和所述下表面这二者，且

所述第一阻挡层包括第一金属层或第一含碳导电层。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构还包括选择装置层。

3.根据权利要求2所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构还包括位于以下表面的至少其中一个上的第二阻挡层：所述选择装置层的上表面、所述选择装置层的下表面、以及所述选择装置层的所述上表面和所述下表面这二者，且

所述第二阻挡层包括第二金属层或第二含碳导电层。

4.根据权利要求3所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构还包括位于所述选择装置层上的中间电极层。

5.根据权利要求4所述的可变电阻存储装置，其中，

所述第二阻挡层位于所述中间电极层的下表面上。

6.根据权利要求4所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构是将所述选择装置层、所述中间电极层及所述可变电阻层依序堆叠在所述第一电极线上的结构。

7.根据权利要求6所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构还包括位于所述选择装置层下方的下部电极层及位于所述可变电阻层上方的上部电极层，且

所述第一阻挡层或所述第二阻挡层位于所述下部电极层的上表面或所述上部电极层的下表面的至少其中一个上。

8.根据权利要求7所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构还包括位于所述中间电极层上的加热电极层，且所述第一阻挡层位于所述加热电极层上。

9.一种可变电阻存储装置，其特征在于，包括：

多条第一电极线，其在第一方向上延伸且相互平行地配置并相互间隔开；

多条第二电极线，其在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，所述第二电极线位于所述多条第一电极线上方且相互平行地配置并相互间隔开；以及

多个存储单元，其位于所述多条第一电极线与所述多条第二电极线相交的交叉部位处且所述存储单元相互间隔开，

其中：

所述多个存储单元都具有单元结构，所述单元结构包括选择装置层、中间电极层、可变电阻层及阻挡层，所述单元结构与所述第一电极线中的一条及所述第二电极线中的一条电连接，

所述阻挡层位于以下表面的至少其中一个上：所述选择装置层或所述可变电阻层的上表面、所述选择装置层或所述可变电阻层的下表面、以及所述选择装置层或所述可变电阻层的所述上表面和所述下表面这二者，且

所述阻挡层包括金属层或含碳导电层。

10.根据权利要求9所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构包括在所述第一方向上配置的第一单元结构及在所述第二方向上配置的第二单元结构，且

所述第一单元结构具有与所述第二单元结构的形状及结构相同的形状及结构。

11.根据权利要求9所述的可变电阻存储装置，其中，

所述多条第一电极线是字线，且所述多条第二电极线是位线，或者

所述多条第一电极线是位线，且所述多条第二电极线是字线。

12.根据权利要求9所述的可变电阻存储装置，其中，

所述单元结构是将所述选择装置层、所述中间电极层及所述可变电阻层依序堆叠在各条所述第一电极线上的结构，且

所述阻挡层位于所述中间电极层的下表面上。