[发明专利]一种ESS音频电路降噪结构及降噪方法

权利要求书

1.一种ESS音频电路降噪结构，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚，所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚，其特征是：所述主板上还设有第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚接地，所述的GND引脚接地；所述的A小卡上设有第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚接地，所述的GND_A引脚接地；所述的ESS音频芯片分别通过一个0欧姆电阻连接服务器CPU的SCL引脚和SDA引脚。

2.根据权利要求1所述的一种ESS音频电路降噪结构，其特征是：所述ESS音频芯片的INL引脚连接DAC的DACL信号线，INBL引脚连接DAC的DACLB信号线，且DACL信号线和DACLB信号线采用差分走线。

3.根据权利要求1所述的一种ESS音频电路降噪结构，其特征是：所述ESS音频芯片的INR引脚连接DAC的DACR信号线，INBR引脚连接DAC的DACRB信号线，且DACR信号线和DACRB信号线采用差分走线。

4.一种ESS音频电路降噪方法，其特征是：基于权利要求1所述的结构来实现，所述的方法包括：

S1：在主板上设置第一AGND2引脚，并分别接ESS音频芯片和接地；

S2：在A小卡上设置第二AGND2引脚，并分别接耳机和接地。

5.根据权利要求4所述的一种ESS音频电路降噪方法，其特征是：所述的方法还包括：

S3：将ESS音频芯片的INL引脚和INBL引脚分别连接DAC的DACL信号线和DAC的DACLB信号线，并将DACL信号线和DACLB信号线设置为差分走线。

6.根据权利要求5所述的一种ESS音频电路降噪方法，其特征是：所述的方法还包括：

S4：将ESS音频芯片的INR引脚和INBR引脚分别连接DAC的DACR信号线和DAC的DACRB信号线，并将DACR信号线和DACRB信号线设置为差分走线。

7.根据权利要求6所述的一种ESS音频电路降噪方法，其特征是：所述的方法还包括：

S5：在ESS音频芯片和服务器CPU的SCL引脚之间，以及ESS音频芯片和服务器CPU的SDA引脚之间分别设置一个0欧姆电阻。