[发明专利]一种高度密封的中空结构熔断器的制造方法及熔断器

权利要求书

1.一种高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

制作盖板：取两块绝缘板，分别在两块所述绝缘板的一侧形成端电极，制成包括上盖板及下盖板的盖板；

贴膜：在所述上盖板的远离所述端电极的一侧和/或所述下盖板的远离所述端电极的一侧整片贴合纯胶膜；

开凹槽：在所述上盖板的远离所述端电极的一侧及所述下盖板的远离所述端电极的一侧通过机械的方式形成凹槽；

装熔体：将熔体置于所述纯胶膜上，所述熔体的一部分置于所述凹槽上；

贴合上、下盖板：将所述上盖板的远离所述端电极的一侧与所述下盖板的远离所述端电极的一侧通过所述纯胶膜预贴合；多个所述上盖板的所述凹槽与对应位置的所述下盖板的所述凹槽合围形成多个空腔，所述熔体的一部分置于在所述空腔中；

压固上、下盖板：将所述上盖板及所述下盖板高温压合，制成预成品；

切割：在所述端电极的位置切割所述预成品并切断所述熔体形成所述高度密封的中空结构熔断器的宽度方向的侧壁，在所述侧壁上通过活化设置侧面端电极，所述侧面端电极将所述上盖板的所述端电极、所述熔体及所述下盖板的所述端电极电连接；

分粒：根据所述高度密封的中空结构熔断器的宽度方向的侧壁的位置切割所述预成品形成所述高度密封的中空结构熔断器的长度方向的侧壁，制成单个高度密封的中空结构熔断器；

在所述切割步骤之前还包括打孔步骤，所述打孔步骤为：在所述上盖板的所述端电极处及所述下盖板的所述端电极处通过机械的方式形成贯穿所述上盖板及所述下盖板的孔；在所述切割步骤中，切割的位置位于所述孔的位置。

2.根据权利要求1所述的高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于：在所述开凹槽步骤后，进行所述打孔步骤，再进行所述装熔体的步骤；在所述贴合上、下盖板的步骤中，多个所述上盖板的所述孔与对应位置的所述下盖板的所述孔合并形成多个通孔。

3.根据权利要求1所述的高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于：在所述压固上、下盖板步骤之后，进行所述打孔步骤，再进行所述切割步骤；在所述贴合上、下盖板的步骤中，多个所述上盖板的所述孔与对应位置的所述下盖板的所述孔合围形成多个通孔。

4.根据权利要求1所述的高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于：所述熔体为熔丝。

5.根据权利要求1所述的高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于：所述熔体设置在熔体板上，在所述装熔体的步骤中，将所述熔体板贴合在所述纯胶膜上；在所述贴合上、下盖板的步骤中，将所述上盖板的远离所述端电极的一侧与所述下盖板的远离所述端电极的一侧通过所述纯胶膜分别与所述熔体板的上、下表面预贴合。

6.根据权利要求5所述的高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于：所述熔体板朝向所述上盖板的一侧和/或朝向所述下盖板的一侧设有所述熔体。

7.根据权利要求1所述的高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于：所述熔体为表层镀有防氧化金属层的导电金属制成。

8.一种熔断器，其特征在于：由权利要求1-7任一所述的高度密封的中空结构熔断器的制造方法制得。