[发明专利]一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法

权利要求书

1.一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：

A.瓷片表面印胶点

选取Al₂O₃陶瓷基片，将胶点按照导流条尺寸用相应尺寸丝网印至Al₂O₃陶瓷基片表面；

B.装配

先将导流条筛入模具中；然后把步骤A中Al₂O₃陶瓷基片表面印上胶点的基片扣入筛满导流条的模具中；

C.烧结

将步骤B中装配好的DBC半导体热电基片半成品放入高温且氮气纯度为99.999％的体系中直接键合而成的DBC半导体热电基片；

在步骤B中，导流条自身含氧量为510~520ppm，所述导流条采用的是低氧铜粒子；

在步骤C中，依次经过排胶、烧结和冷却三个步骤；所述排胶是指烧结体系在升温到500℃之前，体系内部胶点被熔化炭化挥发；导流条自身含氧量510~520ppm与Al₂O₃陶瓷基片在1000℃~1100℃烧结；烧结后冷却至80℃以内；

在步骤C中，500℃前完成排胶，500℃时氧含量控制在9.8~10.2ppm之间，烧结温度点1000℃~ 1100℃时氧含量控制在2~10ppm之间。

2.根据权利要求1所述的低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法，其特征在于：在步骤A中，所述Al₂O₃陶瓷基片的密度≥3.7g/cm ³。

3.根据权利要求1所述的低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法，其特征在于：在步骤B中，在无尘、干燥、恒温且无振动的环境中进行装配；所述无尘为百级以上；所述干燥为相对湿度90%以下。

4.根据权利要求1所述的低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法，其特征在于：采用所述步骤制出的低氧铜烧结DBC半导体热电基片的抗拉强度≥780N/㎝²；且浸锡实验合格。

5.根据权利要求1所述的低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法，其特征在于：在步骤A中，所述Al₂O₃瓷片中Al₂O₃的含量为95~98％。