[发明专利]小面积低功率上电复位电路

权利要求书

1.一种用于提供上电复位信号的电路，所述电路包括：

配置为产生指示电压阈值的参考电流的第一天然NMOS晶体管；

具有耦合所述第一天然NMOS晶体管的控制节点的比较器晶体管，所述比较器晶体管配置为比较感测电流与所述参考电流，其中所述感测电流表示所述电路的电源电压的电平，其中所述比较器晶体管的第一节点被配置为当所述参考电流大于所述感测电流时保持第一状态，其中所述第一节点被配置为当所述感测电流大于所述参考电流时保持第二状态；以及

与所述第一天然NMOS晶体管和接地参考串联耦合的第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述电源电压的控制节点，所述第二晶体管被配置为控制由所述第一天然NMOS晶体管设置的参考电流的变化。

2.权利要求1所述的电路，包括配置为将所述参考电流镜像到所述比较器晶体管的节点的电流镜。

3.权利要求2所述的电路，其中所述电流镜包括感测晶体管和镜像晶体管；和

其中所述比较器晶体管的控制节点耦合所述感测晶体管的控制节点和所述镜像晶体管的控制节点。

4.权利要求1所述的电路，其中所述第二晶体管是第二天然NMOS晶体管。

5.权利要求4所述的电路，包括与所述比较器晶体管和所述接地参考串联耦合的第三天然NMOS晶体管，所述第三天然NMOS晶体管具有耦合所述电源电压的控制节点。

6.权利要求5所述的电路，其中所述第二天然NMOS晶体管包括以堆叠布置的多个天然NMOS晶体管。

7.权利要求5所述的电路，其中所述第三天然NMOS晶体管包括以堆叠布置的多个天然NMOS晶体管。

8.权利要求5所述的电路，其中所述电路占据的面积小于0.01mm²。

9.权利要求5所述的电路，其中所述电路被配置为平均使用42纳安(nA)或更小。

10.权利要求5所述的电路，其中与所述参考电流相关联的阈值电压被配置为在-40℃至125℃的温度范围内变化小于330毫伏(mV)。

11.一种上电复位电路，包括：

第一天然NMOS晶体管，被配置为产生参考电流；

电流镜，被配置为镜像所述参考电流；

比较器晶体管，被配置为接收和比较所述参考电流与表示电源电压的感测电流；和

第二和第三天然NMOS晶体管；

其中所述电流镜的感测晶体管经由所述第一天然NMOS晶体管和所述第二天然NMOS晶体管耦合到地；

其中所述电流镜的镜像晶体管经由所述比较器晶体管和所述第三天然NMOS晶体管耦合到地；

其中所述比较器晶体管的控制节点耦合所述感测晶体管的控制节点和所述镜像晶体管的控制节点；和

其中将所述镜像晶体管耦合所述比较器晶体管的节点提供所述上电复位电路的输出。

12.权利要求11所述的上电复位电路，所述上电复位电路占据的面积小于0.01mm²。

13.权利要求11所述的上电复位电路，包括缓冲器，所述缓冲器耦合所述比较器晶体管的漏极并被配置为提供所述上电复位电路的第二输出。

14.权利要求13所述的上电复位电路，其中所述缓冲器包括逆变器。