[发明专利]基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法

说明书

公开的是一种基板处理装置和工艺流体处理装置。基板处理装置包括：工艺腔室，该工艺腔室利用包含臭氧的工艺流体处理基板；排放管道，连接至工艺腔室以排放用来处理基板的工艺流体；和工艺流体处理装置，该工艺流体处理装置与排放管道连接。工艺流体处理装置包括：具有内部空间的壳体，该内部空间具有容纳工艺流体的设定容积；和喷嘴，该喷嘴与排放管道和壳体的内部空间连接。

技术领域

本文所描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法。

背景技术

对基板进行各种工艺来制造半导体器件或者液晶显示器，该各种工艺例如为光刻、刻蚀、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洗等。在这些工艺中，刻蚀工艺用于从形成在基板上的薄膜中去除不需要的区域，并且该薄膜需要高刻蚀选择性和高刻蚀速率。

在刻蚀或清洗工艺中，通常按顺序在基板上执行化学处理步骤、冲洗步骤以及干燥步骤。在化学处理步骤中，向基板供应化学品来刻蚀形成在基板上的薄膜或者去除基板上的外来物质，并在冲洗步骤中，向基板供应冲洗溶液，例如去离子(DI)水。此外，用于处理基板的流体可以包括臭氧。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种有效地处理基板的基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法。

根据实施例的一方面，基板处理装置包括：工艺腔室，该工艺腔室利用包含臭氧的工艺流体处理基板；排放管道，该排放管道连接至工艺腔室以排放用于处理基板的工艺流体；以及工艺流体处理装置，该工艺流体处理装置与排放管道连接。工艺流体处理装置包括：具有内部空间的壳体，该内部空间具有容纳工艺流体的设定容积；以及喷射喷嘴，该喷射喷嘴连接排放管道和壳体的内部空间。

喷射喷嘴可向下喷射工艺流体。

喷射喷嘴可包括多个喷孔，工艺流体通过该多个喷孔喷射。

喷射喷嘴可通过喷雾法喷射工艺流体。

工艺流体处理装置还可包括挡板，该挡板位于壳体的内部，这样挡板的顶侧面向通过喷射喷嘴喷射的工艺流体。

工艺流体处理装置还可包括气体供应管道，该气体供应管道将包含氧气的气体供应到壳体的内部空间。

工艺流体处理装置还可包括循环管线，该循环管线具有连接到壳体的相对两端，并允许从壳体排放的工艺流体再次流入到壳体中。

工艺流体处理装置还可包括气体供应管道，该气体供应管道将包含氧气的气体供应到壳体的内部空间。

工艺流体处理装置还可包括挡板，该挡板位于壳体的内部，这样挡板的顶侧面向通过喷射喷嘴喷射的工艺流体，气体供应管道可包括上喷射部，该上喷射部朝向壳体的内部空间延伸，并将气体喷射到喷射喷嘴和挡板之间的空间中。

气体供应管道可包括下喷射部，该下喷射部朝向壳体的内部空间延伸，并将气体喷射至壳体的内部空间所容纳的工艺流体中。

工艺流体处理装置还可包括循环管线，该循环管线具有连接到壳体的相对两端，并允许从壳体排放的工艺流体再次流入到壳体中。

循环管线可在其内具有湍流生成部，以允许流过循环管线的工艺流体变为湍流。

湍流生成部可具有带一个或多个流动孔的板形。

流动孔可形成为关于循环管线的轴向方向倾斜。

湍流生成部可包括第一板和第二板，该第一板和第二板阻挡循环管线内的流动通道的一部分，并定位成关于循环管线的轴向方向具有不同的斜度。

在所述循环管线上可设有泵。

在所述循环管线上可设有加热器。

在所述循环管线的一端可设有循环喷嘴，流过循环管线的工艺流体通过循环喷嘴再次流入到壳体中。