[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极图形、有源层图形和位于所述栅极图形和所述有源层图形之间的栅绝缘层；

所述薄膜晶体管还包括：第一导电图形、第二导电图形和位于所述第一导电图形和所述第二导电图形之间的第一中间绝缘层；

其中，所述第一导电图形和所述第二导电图形分别为源极图形和漏极图形；

所述第一中间绝缘层上设置有第一过孔，所述第二导电图形通过所述第一过孔与所述有源层图形连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管还包括：第二中间绝缘层；

所述有源层图形、所述栅绝缘层、所述栅极图形、所述第二中间绝缘层、所述第一导电图形、所述第一中间绝缘层和所述第二导电图形依次叠加设置；

所述第二中间绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔，所述第一导电图形通过所述第二过孔与所述有源层图形连接，所述第二导电图形依次通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述有源层图形连接。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅绝缘层上设置有第四过孔和第五过孔，

所述第一导电图形依次通过所述第二过孔和所述第四过孔与所述有源层图形连接，所述第二导电图形依次通过所述第一过孔、所述第三过孔和所述第五过孔与所述有源层图形连接。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅极图形、所述栅绝缘层、所述有源层图形、所述第一导电图形、所述第一中间绝缘层和所述第二导电图形依次叠加设置。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅极图形、有源层图形、栅绝缘层、第一导电图形、第二导电图形和第一中间绝缘层；

其中，所述栅绝缘层位于所述栅极图形与所述有源层图形之间，所述第一中间绝缘层位于所述第一导电图形与所述第二导电图形之间；

所述第一导电图形和所述第二导电图形分别为源极图形和漏极图形；

所述第一中间绝缘层上设置有第一过孔，所述第二导电图形通过所述第一过孔与所述有源层图形连接。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述在衬底基板上形成栅极图形、有源层图形、栅绝缘层、第一导电图形、第二导电图形和第一中间绝缘层，包括：

在所述衬底基板上依次形成所述有源层图形、所述栅绝缘层、所述栅极图形、第二中间绝缘层、所述第一导电图形、所述第一中间绝缘层和所述第二导电图形；

其中，所述第二中间绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔，所述第一导电图形通过所述第二过孔与所述有源层图形连接，所述第二导电图形依次通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述有源层图形连接；

或者，在所述衬底基板上依次形成所述栅极图形、所述栅绝缘层、所述有源层图形、所述第一导电图形、所述第一中间绝缘层和所述第二导电图形。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

所述衬底基板上依次设置有薄膜晶体管和像素电极图形，所述薄膜晶体管为权利要求1至4任一所述的薄膜晶体管；

所述像素电极图形与所述第一导电图形和所述第二导电图形之一电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括：在所述薄膜晶体管上设置的平坦层；

所述平坦层上设置有第六过孔，所述像素电极图形通过所述第六过孔与所述第一导电图形和所述第二导电图形之一电连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括：遮光层图形和缓冲层；

所述遮光层图形、所述缓冲层和所述薄膜晶体管依次叠加设置；

其中，所述薄膜晶体管还包括：第二中间绝缘层，所述有源层图形、所述栅绝缘层、所述栅极图形、所述第二中间绝缘层、所述第一导电图形、所述第一中间绝缘层和所述第二导电图形依次叠加设置。