[发明专利]GOA电路有效
| 申请号： | 201711010220.2 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107689205B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 石龙强;陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | goa 电路 | ||
1.一种GOA电路，其特征在于，包括级联的多个GOA电路单元，设N为自然数，第N级GOA电路单元包括GOA电路部分和信号放大电路部分，该GOA电路部分设有第N级内部信号输出点(G(N)_in)并通过该内部信号输出点(G(N)_in)连接该信号放大电路部分，该信号放大电路部分包括：
第一放大电路薄膜晶体管(T1)，其栅极连接直流高电位(VGH)，源极和漏极分别连接第一放大电路节点(S(N))和直流高电位(VGH)；
第二放大电路薄膜晶体管(T2)，其栅极连接第N级内部信号输出点(G(N)_in)，源极和漏极分别连接第一放大电路节点(S(N))和直流低电位(VSS)；
第三放大电路薄膜晶体管(T3)，其栅极连接直流高电位(VGH)，源极和漏极分别连接第N级外部信号输出点(G(N)_out)和直流高电位(VGH)；
第四放大电路薄膜晶体管(T4)，其栅极连接第一放大电路节点(S(N))，源极和漏极分别连接第N级外部信号输出点(G(N)_out)和直流低电位(VSS)；
所述GOA电路部分包括：
第一薄膜晶体管(T11)，其栅极连接第N－1级内部信号输出点(G(N－1)_in)，源极和漏极分别连接第一节点(Q(N))和第N－1级内部信号输出点(G(N－1)_in)；
第二薄膜晶体管(T21)，其栅极连接第一节点(Q(N))，源极和漏极分别连接时钟信号(CK)和第N级内部信号输出点(G(N)_in)；
第三薄膜晶体管(T31)，其栅极连接第N+1级内部信号输出点(G(N+1)_in)，源极和漏极分别连接第N级内部信号输出点(G(N)_in)和直流低电位(VSS)；
第四薄膜晶体管(T41)，其栅极连接第N+1级内部信号输出点(G(N+1)_in)，源极和漏极分别连接第一节点(Q(N))和直流低电位(VSS)；
第五薄膜晶体管(T32)，其栅极连接第二节点(P(N))，源极和漏极分别连接第N级内部信号输出点(G(N)_in)和直流低电位(VSS)；
第六薄膜晶体管(T42)，其栅极连接第二节点(P(N))，源极和漏极分别连接第一节点(Q(N))和直流低电位(VSS)；
第七薄膜晶体管(T51)，其栅极连接时钟信号(CK)，源极和漏极分别连接时钟信号(CK)和第二节点(P(N))；
第八薄膜晶体管(T52)，其栅极连接第一节点(Q(N))，源极和漏极分别连接第二节点(P(N))和直流低电位(VSS)；
自举电容(Cb)，其两端分别连接第一节点(Q(N))和第N级内部信号输出点(G(N)_in)。
2.如权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，所述GOA电路基于IGZO-TFT制造。
3.如权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，所述直流低电位(VSS)为﹣5伏。
4.如权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，所述直流高电位(VGH)为28伏。
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