[发明专利]一种去除玻璃蚀刻残留物的方法在审

专利信息
申请号: 201711009958.7 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN107737764A 公开(公告)日: 2018-02-27
发明(设计)人: 赵伟;蔡良照;黄泽魁;郑志智 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 邓义华,廖苑滨
地址: 516600 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 去除 玻璃 蚀刻 残留物 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及玻璃蚀刻技术领域,特别是涉及了一种去除玻璃蚀刻残留物的方法。

背景技术

玻璃属于无机硅物质中的一种,非晶态固体,透明,易碎,硬度高。由于其特性,因此玻璃能够应用于非常多的领域。随着社会的发展,科技的进步,玻璃已经不单单是应用于装饰或作为艺术品,由于玻璃的特性,玻璃已广泛应用于电子产品领域,包括手机、平板电脑等。而作为能够应用到电子领域的玻璃主要的要求就是厚度要薄,且在降低重量的同时,强度标准却未降低。因此,在电子行业,需要经常使用玻璃蚀刻对玻璃产品进行加工,提升产品的性能。

现有技术一般采用浸渍法来进行玻璃蚀刻,浸渍法主要是将玻璃浸泡在含有氢氟酸的蚀刻液中。浸渍法需保证鼓气均匀性,鼓气均匀性好坏直接关系到玻璃蚀刻厚度均匀性的好坏。然而玻璃蚀刻过程中,会产生六氟硅酸及难溶性的氟硅酸盐的残留物沉积在蚀刻槽体及管道上,使鼓气管上的曝气孔堵塞,导致蚀刻玻璃出现厚度偏差,同时会造成蚀刻液均匀度的影响而最终影响蚀刻的均匀度。且常规清洗包括常见的酸性、碱性、中性清洗液,酒精擦拭等均无法清洗掉上述残留物,现在的方法是将蚀刻槽内的蚀刻液排空后,员工进入蚀刻槽内用锤子、铲子等工具敲击来使残留物与槽体及管道分离,然后把敲击下来的块状残留物装进袋子搬运出槽体,清洁一个(4.5G蚀刻线)槽体需单独安排一个人清理一个班次(8小时)的时间。但是,槽体残留的玻璃蚀刻液气体严重损害员工身体健康,清理残留物过程整条生产线设备都要停产,并且残留物清除不干净,还会有很多残留附着在蚀刻器皿上。

发明内容

为了弥补已有技术的缺陷,本发明提供一种去除玻璃蚀刻残留物的方法,以溶解玻璃蚀刻过程产生和残留在蚀刻槽及管道上的残留物,降低清洁残留物的人工成本,同时保证了人工身体健康,改善玻璃蚀刻厚度均匀性。

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:

一种去除玻璃蚀刻残留物的方法,包括如下步骤:

步骤1:玻璃蚀刻完成后将蚀刻液排空,其中蚀刻液中含有氢氟酸;

步骤2:用分解剂浸泡玻璃蚀刻器具,直至沉积在玻璃蚀刻器具上的残留物95%以上溶解,所述分解剂为含硫酸铝的溶液。

进一步地,所述硫酸铝的浓度为3-16wt%。

进一步地,所述玻璃蚀刻器具包括蚀刻槽体和鼓气管。

在玻璃蚀刻中,通过玻璃表面的溶解形成大量的四氟化硅 (SiF4),由于存在过量的氢氟酸而首先将其在蚀刻中溶解为六氟硅酸(H2SiF6),并且通过包含在玻璃中的碱金属(7-13%和钠 3-5%)的同步转化过程被同时沉淀为少量的六氟硅酸钾(K2SiF6) 或六氟硅酸钠(Na2SiF6)等难溶性氟硅酸盐。因此,在玻璃蚀刻中产生和沉积主要成分是六氟硅酸及难溶性氟硅酸盐的残留物,本发明采用含有硫酸铝的溶液浸泡玻璃蚀刻后的残留物,残留物遇到浓度较高的铝离子时,能有效将六氟硅酸及难溶性氟硅酸盐分解为Na3AlF6、K3AlF6等可溶性盐,进而将残留物去除。

本发明具有如下有益效果:

本发明可有效溶解玻璃蚀刻后的残留物,清除率达99%以上,并减少了玻璃残渣清理时人力物力的投入,同时保证了员工身体健康,提高了玻璃蚀刻的均匀性,蚀刻玻璃质量得到改善。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行详细的说明,实施例仅是本发明的优选实施方式,不是对本发明的限定。

实施例1

一种去除玻璃蚀刻残留物的方法,包括如下步骤:

步骤1:玻璃蚀刻完成后将蚀刻液排空,其中蚀刻液中含有氢氟酸;

步骤2:用分解剂浸泡玻璃蚀刻器具,直至沉积在玻璃蚀刻器具上的残留物95%以上溶解,所述分解剂为含硫酸铝的溶液。

其中,所述硫酸铝的浓度为3-16wt%。研究还发现,硫酸铝的浓度与残留物的去除效果是呈非线性关系的,也就是说,并不是硫酸铝的浓度越大,残留物的去除效果就越好。申请人经过大量研究发现,硫酸铝的浓度在此范围内,残留物的去除效果最好。

本实施例中,所述玻璃蚀刻器具包括蚀刻槽体和鼓气管,但不局限于此,只要有沉积的残留物的区域均包括在内。

需要说明的是,本实施例中对浸泡的温度和时间不作特别限定,只要使沉积在玻璃蚀刻器具上的残留物95%以上溶解即可。

对比例1

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