[发明专利]利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法在审
| 申请号： | 201710992023.9 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107845601A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王承伟;徐海宾;王伟;赵裕兴 | 申请（专利权）人： | 苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 王玉国 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 平顶 紫外 激光 拆键合 方法 | ||
1.利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：激光以呈平顶分布的光斑辐照于键合片，所述键合片由载体、涂覆至载体的释放层、涂覆至释放层的粘合层、涂覆至晶圆的保护层以及晶圆键合形成。
2.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述保护层涂覆至晶圆上，不同于保护层的释放层涂覆至载体上，保护层及释放层固化后，将不同于保护层及释放层的粘合层涂覆到释放层上，再将粘合层与保护层相粘结。
3.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述光斑通过振镜快速移动。
4.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述辐照于键合片上的光斑面积为0.000824～0.419mm2。
5.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述平顶分布的光斑的尺寸形状为29.0～647μm的正方形。
6.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述载体的厚度大于300μm。
7.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述保护层的厚度为5～50μm。
8.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述释放层的厚度为0.1～1μm。
9.根据权利要求1或2所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述粘合层的厚度为10～50μm。
10.根据权利要求1所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：提供平顶分布光斑的激光设备包含沿光路依次布置的激光器、用以改变光束各点相位的衍射光学元件、振镜以及场镜。
11.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：还包含用于检测光斑的光束分析仪。
12.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器是功率为1.64～4.99W的激光器。
13.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器的重复频率为7.8～873kHz。
14.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器的波长范围是343～355nm。
15.根据权利要求10所述的利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：所述激光器的光束质量因子M2小于等于1.5。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
