[发明专利]一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种射频SOI芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一基于SOI晶圆制造的器件片，其中，所述器件片背面为所述SOI晶圆的背衬底，所述器件片中制造有多个射频器件，且所述射频器件设有焊盘；

S2：在所述器件片正面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第一塑封层；

S3：去除所述背衬底，并在去除了所述背衬底的器件片背面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第二塑封层；

S4：在所述第二塑封层中形成与所述焊盘位置相对应的第一通孔；

S5：基于所述第一通孔在所述器件片中形成暴露出所述焊盘的第二通孔；

S6：于所述第一通孔及第二通孔中形成与所述焊盘连接的导电柱。

2.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：所述第一塑封层的厚度范围是0.3-0.5mm，所述第二塑封层的厚度范围是0.1-0.5mm。

3.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：于所述步骤S3中，去除所述背衬底包括：首先将所述背衬底减薄至预设厚度，然后通过湿法腐蚀去除剩余的所述背衬底。

4.根据权利要求3所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：所述预设厚度为5-10μm。

5.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：于所述步骤S4中，采用激光钻孔法形成所述第一通孔。

6.根据权利要求5所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：所述激光钻孔法采用波长为532nm的绿光。

7.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：于所述步骤S6中，所述导电柱包括导电芯层及包围所述导电芯层侧壁及底部的扩散阻挡层。

8.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于，还包括步骤：

S7：形成与所述导电柱连接的再布线层；

S8：形成与所述再布线层连接的凸块结构。

9.根据权利要求8所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于，还包括步骤：

S9：将步骤S8获得的结构进行贴片，并通过划片分割得到多个单独的晶粒；

S10：通过所述凸块结构将所述晶粒倒装焊接于封装基板的一面上，并在所述封装基板的另一面上进行植球；

S11：切割所述封装基板，分割得到多个独立的射频SOI芯片封装结构。

10.一种射频SOI芯片封装结构，包括器件层及导电柱，所述器件层中设有基于SOI晶圆制造的射频器件，且所述射频器件设有焊盘，其特征在于：所述器件层正面设有第一塑封层，背面设有第二塑封层，所述导电柱穿通所述第二塑封层并往所述焊盘方向延伸，直至与所述焊盘连接。