[发明专利]一种兜兰培养基及其使用方法

说明书

本发明公开了一种兜兰培养基，其特征在于，该培养基包括培养基基底和生长素，所述培养基基底包括大量元素、微量元素、铁盐、有机物质；所述生长素包括BA、Tween20和TDZ；所述BA的用量为5ppm，所述Tween20的浓度为100ppm；所述TDZ的浓度为8mg/L。培养方法包括前处理、初代培养、继代培养。本发明以兜兰已开过花之植株短缩茎为培植体材料，解决组织培养中兜兰培植体污染、褐化、生长缓慢，以及繁殖倍率低等问题，并提供了一种兜兰快速繁殖的方法。

技术领域

本发明涉及植物及其培养领域，尤其涉及一种兜兰培养基及其使用方法。

背景技术

兜兰又名仙履兰(Lady’sslipper)为兰科(Orchidaceae)、杓兰亚科(Cypripedioideae)内植物之总称。兜兰兰属(Paphiopedilum)内兰花为杓兰亚科内最具经济价值的作物。兜兰于1989年被列为华盛顿公约(CITES)附录一内的物种后，进出口交易严格地受政府控制，全面禁止野生植株进行国际商业行为。

目前商业上繁殖方法是以无菌播种为主，兰苗从出瓶后到开花最快者为Paph.Maudiae，需1年半至2年的时间；但有些多花品系，约4-6年以上才会开花。从出瓶后到开花约需3-4年以上。由于兜兰实生苗不整齐，且营养系繁殖苗株的技术仍停留在分株方法，无法大量生产具有优良开花性状的植株。因此，建立兜兰之分生繁殖系统是极迫切的课题。

目前对于兜兰组织培养之研究，大多使用瓶苗为材料(林，1998；洪，2004；陈，2000；Kawase，1995a；YasugiandYagi，1995；Tanakaetal.，1995、1996)，少数采用成熟株的短缩茎与花梗芽做增殖的材料(Huang，1988；Kawase，1990、1994、1997；StewartandButton，1975)，然皆面临瓶苗生长速度缓慢的问题。但兜兰的组织培养过程中会面临灭菌不易、褐化严重与繁殖倍率慢的问题。

为了克服现有技术的缺陷，需要设计一种兜兰培养基及其使用方法。

发明内容

为了克服现有技术中的缺陷，提供一种兜兰培养基及其使用方法。

本发明通过下述方案实现：

一种兜兰培养基，该培养基包括培养基基底和生长素，所述培养基基底包括大量元素、微量元素、铁盐、有机物质；

所述生长素包括BA、Tween20和TDZ；

所述BA的用量为5ppm，所述Tween20的浓度为100ppm；所述TDZ的浓度为8mg/L。

以mg/L为质量浓度单位计算，所述大量元素包括以下组份：

以mg/L为质量浓度单位计算，所述微量元素包括以下组份：

以mg/L为质量浓度单位计算，所述铁盐包括以下组份：

FeSO₄·7H₂O 27.8

Na₂-EDTA·2H₂O 37.3。

以mg/L为质量浓度单位计算，所述有机物质包括以下组份：

一种兜兰培养基的使用方法，该使用方法包括以下步骤：

第一步、前处理