[发明专利]一种兜兰培养基及其使用方法

权利要求书

1.一种兜兰培养基，其特征在于，该培养基包括培养基基底、BA、Tween20或者培养基基底、TDZ，所述培养基基底包括大量元素、微量元素、铁盐、有机物质；

所述BA的用量为5ppm，所述Tween20的浓度为100ppm；所述TDZ的浓度为8mg/L；

以mg/L为质量浓度单位计算，所述大量元素包括以下组份：

以mg/L为质量浓度单位计算，所述微量元素包括以下组份：

以mg/L为质量浓度单位计算，所述铁盐包括以下组份：

FeSO₄·7H₂O 27.8

Na₂-EDTA·2H₂O 37.3；

以mg/L为质量浓度单位计算，所述有机物质包括以下组份：

2.一种如权利要求1所述的兜兰培养基的使用方法，其特征在于，该使用方法包括以下步骤：

第一步、前处理

进行组织培养前，选择培植体材料，并先将培植体材料断水处理2周，然后去除根，去除根后的第二天开始进行多次灭菌处理；将灭菌的培植体材料放入短缩茎取下茎顶后，使茎顶浸过质量浓度为0.005％的NaClO中，再移入兜兰培养基中进行培养，且在兜兰培养基中添加杀菌剂；选择7片叶的植株作为培植体材料；

第二步、初代培养

在培养基基底加入：BA和Tween20，所述BA的用量为5ppm，所述Tween20的浓度为100ppm；将第一步处理完成的培植体材料暗室培养3周后，并且培植体材料有芽体形成时，移出暗室照光培养1个月，有浅绿色的展开叶形成；

第三步、继代培养

培植体材料从初代培养基移植过来后，在培养基基底加入：TDZ，所述TDZ的浓度为8mg/L；将第二步处理完成后的培植体材料去除叶片后培养8周，株高2.85cm，之后反复操作，可达到所需的增值倍数。