[发明专利]一种基于忆阻器的具有稳态可塑性的神经元电路有效
申请号: | 201710981702.6 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107742153B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 师心铭;曾志刚 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063;H03K7/08;H03K7/10;H03K9/06 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 忆阻器 具有 稳态 可塑性 神经元 电路 | ||
1.一种基于忆阻器的具有稳态可塑性的神经元电路,其特征在于,包括:激发模块(1),脉冲产生模块(2)和反馈模块(3);
所述激发模块(1)的信号输入端用于接收前神经元产生的输入脉冲Vin,所述激发模块(1)用于根据所述输入脉冲Vin输出激发脉冲Vo1;
所述脉冲产生模块(2)的输入端连接至所述激发模块(1)的输出端,所述脉冲产生模块(2)用于根据所述激发脉冲Vo1的触发产生相应的兴奋脉冲Vo2;所述脉冲产生模块(2)具有两个输出端,第一输出端用于输出兴奋脉冲Vo2;
所述反馈模块(3)的输入端连接至所述脉冲产生模块(2)的第二输出端,所述反馈模块(3)的输出端连接至所述激发模块(1)的反馈输入端,所述反馈模块(3)用于将所述兴奋脉冲Vo2的频率与神经元固有脉冲频率finherent进行比较,并根据比较结果输出相应的反馈电压Vo3;
所述激发模块(1)包括:忆阻器Rm,电阻R1,CMOS传输门TG,电容C1,第一运算放大器A1,第二运算放大器A2,第一开关S0,第二开关S1和第三开关S2;所述第一开关S0的一端作为所述激发模块(1)的信号输入端,所述第一开关S0的另一端与所述忆阻器Rm的一端相连,所述忆阻器Rm的另一端与所述第一运算放大器A1的反相输入端相连,所述第一运算放大器A1的同相输入端与所述脉冲产生模块(2)的第一输出端相连;所述第二开关S1的一端与所述忆阻器Rm的一端相连,所述第二开关S1的另一端接地;所述第三开关S2的一端与所述忆阻器Rm的另一端端相连,所述第三开关S2的另一端作为所述激发模块(1)的反馈输入端;所述CMOS传输门TG和所述电阻R1串联后与所述电容C1并联,再将其并联在所述第一运算放大器A1的反相输入端和输出端之间;所述第一运算放大器A1的输出端与所述第二运算放大器A2的同相输入端相连,且所述第二运算放大器A2的反相输入端接入参考电压Vref,所述第二运算放大器A2的输出端作为所述激发模块(1)的输出端。
2.如权利要求1所述的神经元电路,其特征在于,所述参考电压Vref小于神经元阈值电压VTH。
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