[发明专利]发光装置及其制作方法有效
申请号: | 201710979450.3 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN107968141B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 洪政暐;杜隆琦;张瑞夫;曾春铭;陈韵筑 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种发光装置的制作方法,包括:
形成一波长转换胶层,该波长转换胶层包括一低浓度荧光胶层以及一高浓度荧光胶层;
提供多个发光单元;
在该波长转换胶层中形成多个沟槽,以在该些沟槽之间定义出多个接合区域,且在该接合区域中的该高浓度荧光胶层的宽度为WH,该低浓度荧光胶层的宽度为WL,该发光单元的宽度为WE,此步骤更满足以下的不等式:WEWL,WHWL以及0.8WH/WE≦1.2;
将该些发光单元分别接合于该些接合区域中的该些高浓度荧光胶层;
形成一反射保护件于该波长转换胶层上以及该些发光单元之间并填满该些沟槽,其中该反射保护件暴露出该些发光单元的电极垫;以及
沿着该些沟槽进行一切割程序,以形成多个发光装置。
2.如权利要求1所述的发光装置的制作方法,其特征在于,在该波长转换胶层中形成该些沟槽的步骤中,更包括:
移除局部的该高浓度荧光胶层以及局部的该低浓度荧光胶层,以形成多个第一子沟槽,该些第一子沟槽在该些接合区域中分别形成多个第一平台部,其中各该第一平台部更包括该高浓度荧光胶层的一第一部分以及该低浓度荧光胶层的一第一部分;以及
移除局部的该低浓度荧光胶层,以在该些第一子沟槽中形成多个第二子沟槽,该些第二子沟槽在该些接合区域中分别形成多个第二平台部,其中各该第二平台部更包括该低浓度荧光胶层的一第二部分,且该低浓度荧光胶层的该第一部分与该低浓度荧光胶层的该第二部分相连,
其中一该沟槽包括一该第一子沟槽以及一该第二子沟槽。
3.如权利要求1所述的发光装置的制作方法,其特征在于,更包括在所述将该些发光单元分别接合于该些接合区域中的该些高浓度荧光胶层的步骤之前:
分别形成多个透光胶层于该些接合区域中的该些高浓度荧光胶层上。
4.如权利要求3所述的发光装置的制作方法,其特征在于,在所述将该些发光单元分别接合于该些接合区域中的该些高浓度荧光胶层的步骤中,该些发光单元分别通过该些透光胶层接合于该些高浓度荧光胶层。
5.如权利要求1所述的发光装置的制作方法,其特征在于,更包括在形成该反射保护件于该波长转换胶层上以及该些发光单元之间并填满该些沟槽的步骤之后:
静置该反射保护件,以使该反射保护件形成往该波长转换胶层的方向凹陷的凹面;以及
固化该反射保护件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新世纪光电股份有限公司,未经新世纪光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710979450.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种红黄光发光二极管芯片及其制造方法
- 下一篇:发光装置及其制造方法