[发明专利]氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述制作方法包括：在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少覆盖所述第一区域的SiON层；形成覆盖所述第二区域的SiNx层。本发明的技术方案能够提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

氧化物TFT显示基板因其在低功耗，窄边框方面的优势，市场占有率越来越高。但氧化物TFT对空气中的水汽以及H离子非常敏感，水汽和游离态的H离子会剥夺氧化物半导体中的氧，使得半导体导体化，TFT失去开关作用，从而导致显示不良。

现有技术中一般采用SiNx或SiON来作为氧化物TFT的绝缘层。其中，SiNx绝缘特性较好，膜质致密，有非常优异的阻挡水汽和游离态的Na，K等离子的能力，但SiNx中游离态的H⁺很多，很容易扩散到TFT的半导体区域中，导致TFT失效，使得氧化物TFT显示基板的良率下降很多。SiON中虽然不含有游离态的H⁺，但SiON的膜质疏松，对水汽和游离态的Na，K等离子的阻挡能力很弱，水汽和Na，K等离子非常容易进入氧化物TFT显示基板的各膜层中，从而影响像素电极以及TFT的器件特性，造成显示不良。综上所述，现有氧化物TFT显示基板的良率较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述制作方法包括：

在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少覆盖所述第一区域的SiON层；

形成覆盖所述第二区域的SiNx层。

进一步地，所述形成至少覆盖所述第一区域的SiON层包括：

形成覆盖所述第一区域和所述第二区域的SiON层。

进一步地，形成覆盖所述第二区域的SiNx层之前，所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有深度大于阈值的第一过孔，形成覆盖所述第二区域的SiNx层的同时还利用所述SiNx层填充所述第一过孔。

进一步地，所述制作方法具体包括：

提供一形成有氧化物薄膜晶体管和公共电极线的衬底基板，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线与所述栅电极同层设置且呈狭缝状；

形成覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层；

在所述钝化层上形成像素电极和公共电极，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极连接；

在形成有所述像素电极和所述公共电极的衬底基板上涂覆光刻胶，从所述衬底基板背向所述氧化物薄膜晶体管的一侧进行曝光，未被所述栅电极遮挡的光刻胶被曝光；

显影后去除未被所述栅电极遮挡的光刻胶，保留被所述栅电极遮挡的光刻胶；

进行SiNx层的沉积，沉积的所述SiNx层填充部分所述第一过孔；