[发明专利]氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，其特征在于，所述制作方法包括：

在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少覆盖所述第一区域的SiON层，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括有覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层；

形成覆盖所述第二区域的SiNx层；

形成覆盖所述第二区域的SiNx层之前，所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有贯穿栅绝缘层和钝化层的第一过孔，形成覆盖所述第二区域的SiNx层的同时还利用所述SiNx层填充所述第一过孔。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述第一区域的SiON层包括：

形成覆盖所述第一区域和所述第二区域的SiON层。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一形成有氧化物薄膜晶体管和公共电极线的衬底基板，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线与所述栅电极同层设置且呈狭缝状；

形成覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层；

在所述钝化层上形成像素电极和公共电极，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极连接；

在形成有所述像素电极和所述公共电极的衬底基板上涂覆光刻胶，从所述衬底基板背向所述氧化物薄膜晶体管的一侧进行曝光，未被所述栅电极遮挡的光刻胶被曝光；

显影后去除未被所述栅电极遮挡的光刻胶，保留被所述栅电极遮挡的光刻胶；

进行SiNx层的沉积，沉积的所述SiNx层填充部分所述第一过孔；

剥离剩余的光刻胶，光刻胶上的SiNx层也随之被剥离。

4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，其特征在于，

在低于250℃的环境下进行所述SiNx层的沉积。

5.一种氧化物薄膜晶体管显示基板，包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，其特征在于，还包括：

位于所述氧化物薄膜晶体管上、至少覆盖所述第一区域的SiON层，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括有覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层；

位于所述SiON层上、覆盖所述第二区域的SiNx层；

所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有贯穿栅绝缘层和钝化层的第一过孔，所述SiNx层填充部分所述第一过孔。

6.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管显示基板，其特征在于，所述SiON层覆盖所述第一区域和所述第二区域。

7.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管显示基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管显示基板具体包括：

位于衬底基板上的氧化物薄膜晶体管和公共电极线，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线与所述栅电极同层设置且呈狭缝状；

覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层；

位于所述钝化层上的像素电极和公共电极，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极连接；

位于所述钝化层上的所述SiNx层，所述SiNx层在所述衬底基板上的正投影与所述栅电极在所述衬底基板上的正投影不重合。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5-7中任一项所述的氧化物薄膜晶体管显示基板。